隨著微電子器件特征尺寸越來越小,硅片面積和集成度越來越大,對(duì)互連和接觸技術(shù)的要求越來越高。 IL422E除了要求有良好的歐姆接觸外,對(duì)互連布線也有以下要求:①布線材料有低的電阻率和良好的穩(wěn)定性;②布線應(yīng)具有強(qiáng)的抗電遷移能力;③布線材料可被精細(xì)刻蝕,并具有抗環(huán)境侵蝕的能力;

   ①布線材料易于淀積成膜,黏附性要好,臺(tái)階覆蓋要好,并有良好的可焊性。

   電遷移現(xiàn)象

   電遷移是指在大電流密度作用下金屬化引線的質(zhì)量輸運(yùn)現(xiàn)象。在金屬引線上有電場(chǎng)存在時(shí),電子向正極遷移,而離子受電子裹挾有指向正極的作用,而電場(chǎng)對(duì)離子的作用叉指向負(fù)極,綜合作用是質(zhì)量(離子實(shí))輸運(yùn)沿電子流方向。如圖121所示是金屬化引線的電遷移現(xiàn)象,在負(fù)極附近易形成空洞,正極附近易形成小丘。由此造成電路的開路或多層布線上下兩層間的短接。