采用適當(dāng)工藝方法淀積鋁膜,如電子束蒸鍍的鋁膜,晶粒的優(yōu)選晶向為(111),比濺射鋁膜的MTF大2~3倍。 M1TSVB1SHI鋁膜結(jié)構(gòu)對電遷移也有影響,“竹狀”結(jié)構(gòu)的鋁膜引線比常規(guī)結(jié)構(gòu)的MTF值提高兩個數(shù)量級。如圖12~9所示是不同鋁引線薄膜截面結(jié)構(gòu)。

   在鋁膜表面覆蓋弘N4或其他介質(zhì)薄膜,也能提高鋁的抗電遷移能力。

   金屬與半導(dǎo)體之間的任何反應(yīng),都會對器件性能帶來影響。如硅在鋁中具有一定的固溶度,若芯片局部形成“熱點”,硅會溶解進入鋁層中,致使硅片表面產(chǎn)生蝕坑,進而出現(xiàn)尖現(xiàn)象,造成淺結(jié)穿通�？朔@種影響的主要方法是選擇與半導(dǎo)體接觸穩(wěn)定的金屬類材料作為阻擋層或在金屬鋁中加人少量半導(dǎo)體硅元素,使其含量達到或接近固溶度,這就避免了硅溶解進人鋁層。另外,疏松的金屬膜很容易吸收水汽和雜質(zhì)離子,并發(fā)生化學(xué)反應(yīng),導(dǎo)致其理化特性變壞。因此,淀積的金屬薄膜應(yīng)致密。工藝上降低淀積速率等方法將有助于提高金屬薄膜的致密度。