離子注人是離子被強(qiáng)電場加速后注入靶中,離子受靶原子阻止而停留其中,經(jīng)退火后PA905C4成為具有電活性的雜質(zhì)的一個(gè)非平衡的物理過程。注入離子在靶中分布的情況與注人離子的能量、性質(zhì)和靶的具體情況等因素有關(guān)。下面首先分析離子進(jìn)人靶時(shí)受到阻止作用的情況,得出在非晶靶時(shí),注人離子所遵循的基本方程及計(jì)算離子分布的方法,然后討論離子沿低指數(shù)晶向人射單晶靶時(shí)發(fā)生的溝道效應(yīng)及其離子分布情況。

    與注入離子分布相關(guān)的幾個(gè)概念

   像熱擴(kuò)散的雜質(zhì)在襯底中具有一定的濃度分布一樣,注人到靶中的雜質(zhì)離子也具有一定的濃度分布形式。因?yàn)殡x子注人到半導(dǎo)體中的過程,實(shí)質(zhì)上就是人射離子與半導(dǎo)體的原子核和電子不斷發(fā)生碰撞的過程。當(dāng)具有不同人射能量的雜質(zhì)離子進(jìn)入靶時(shí),將與靶中的原子核和電子不斷發(fā)生碰撞。在碰撞時(shí),離子的運(yùn)動方向?qū)⒉粩喟l(fā)生偏折,并不斷失去能量,最后在靶中的某一點(diǎn)停止下來,因而離

子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)止將走過一條十分曲折的路徑。如圖⒍1所示是離子注人行程示意圖,由圖61(a)、(b)可見,由于人射粒子所具有的能量不同,在進(jìn)入靶材料內(nèi)所形成的路徑也存在差異.