暈圈反型雜質摻雜結構和大角度注入反型雜質摻雜結構

   S/D延伸區(qū)的結深不但要求縱向結淺,PAM3101AAA330也要求橫向雜質擴散小,以更好地改善短溝道效應和抑制吖D穿通效應。為此,有了暈圈反型雜質摻雜結構(Hdo注人)和大角度注入反型雜質摻雜結構(Pocl【et注人)。Halo注人摻雜實為雙注人LDD結構,n LDD區(qū)周圍環(huán)繞一個盯區(qū)(I1alo區(qū)),p區(qū)周圍環(huán)繞一個n區(qū)(Hdo區(qū))。Pocl【ct注入摻雜實為大角度傾斜旋轉注入,一般以多晶硅柵和吖D做自對準掩蔽。它比Hdo注人有更小的結電容,有利于速度的改善。因為它只環(huán)繞LDD區(qū)和吖D區(qū)鄰接處,這樣不增加nˉ和p-D區(qū)下的雜質濃度。

   CMOs電路工藝流程

   CMOS工藝是當今各類集成電路制作技術的核心,由它可衍生出不同的工藝。圖12△5所示為CM(B工藝集成和對應變化。標準的CMOS工藝主要應用于高性能、低功耗的數字集成電路。如果“CMOS+浮柵”,標準CMOS工藝就轉化為M(,~S可擦寫存儲器工藝。