隔離工藝是集成電路工藝的重要環(huán)節(jié)。雙極型電路采用的隔離方法主要有pn結(jié)隔離、介質(zhì)隔PAM3101DAB330離及pn結(jié)一介質(zhì)混合隔離。傳統(tǒng)的pn結(jié)隔離工藝一直沿用至今,而在當(dāng)今的雙極型ULSI中多采用先進(jìn)l,ll結(jié)-介質(zhì)混合隔離工藝。

   1pn結(jié)隔離

   pn結(jié)隔離是利用反向偏壓下pn結(jié)的高阻特性實(shí)現(xiàn)隔離的方法。這是最早出現(xiàn)也是常用的一種隔離方法。pn結(jié)隔離的優(yōu)點(diǎn)是工序簡(jiǎn)單、成本低;缺點(diǎn)是它的結(jié)電容大,高頻性能差,存在著較大的lDll結(jié)反向漏電和寄生晶體管效應(yīng)。

    以t△pn電路隔離工藝為例,通常采用輕摻雜的p型硅為襯底,摻雜濃度一般在10Ⅱ敲oms/cm3的數(shù)量級(jí)。摻雜濃度較低,從而可以減小收集(集電)結(jié)的結(jié)電容,并提高收集結(jié)的擊穿電壓。但摻雜濃度過(guò)低會(huì)在后續(xù)工藝中使埋層下推過(guò)多。過(guò)去為了減少外延層的缺陷,通常選用偏離2°~5°的(111)晶向。但是目前為了和CMOS置藝兼容,都選用了標(biāo)準(zhǔn)的(10ω晶向。pn結(jié)隔離工藝如圖12-20所示。