雙極型集成電路工藝
發(fā)布時(shí)間:2017/5/30 12:26:59 訪問次數(shù):923
雙極型集成電路(Blpohr Int囈rated Grcuit)是以lllDn或pnp型雙極型晶體管為基礎(chǔ)的集成電路。它是最早出現(xiàn)的集成電路,具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、PAM3101DAB300模擬精度高等優(yōu)點(diǎn),一直在模擬電路和功率電路中占據(jù)主導(dǎo)地位。但是,雙極型集成電路的功耗大,縱向尺寸無法跟隨橫向尺寸成比例地縮小,因此隨著CMOs集成電路的迅猛發(fā)展,雙極型電路在功耗和集成度方面受到了CMOS技術(shù)的嚴(yán)重挑戰(zhàn)。
雙極型集成電路的基本I藝大致可分為兩大類:一類是需要在元件之問制作電隔離區(qū)的I藝,另一類是元件之間采取自然隔離的工藝。采用第一類I藝的主要有晶體管-晶體管邏輯(TTI')電路、射極耦合邏輯(ECI')電路、肖特基晶體管-晶體管邏輯(STTI冫)電路等。它們的工藝過程基本相同,只是ECI'電路比TTI'電路少了摻金工藝,STTL電路則比TTL電路多了肖特基二極管I藝。隔離置藝有pn結(jié)隔離、介質(zhì)隔離及px1結(jié)-介質(zhì)混合隔離。而采用元件之間自然隔離工藝的另一類電路主要是集成注入邏輯(I2I冫)電路。
近年來,為了進(jìn)一步提高雙極型集成電路性能,如提高電流增益及截止頻率,其制造工藝也大量地采用MOS電路中的新工藝技術(shù),發(fā)展出多種先進(jìn)的雙極型集成電路丁藝技術(shù),如先進(jìn)隔離技術(shù)、多晶硅發(fā)射極工藝、自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)工藝和異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管技術(shù)等。另外,銅互連系統(tǒng)也將應(yīng)用于先進(jìn)的雙極型集成電路工藝中。
雙極型集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展使其在集成度較小的高性能電路尤其是通信系統(tǒng)中繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)位置。⒏訂襯底的采用是其工藝技術(shù)發(fā)展的重要方向,但必須解決高驅(qū)動(dòng)電流帶來的熱效應(yīng)問題。近年來出現(xiàn)的以&)A(Sihcon oll Anythl△bc)為襯底制造新型射頻(RF)雙極型電路技術(shù),通過采用高熱導(dǎo)率絕緣材料替代二氧化硅,能夠解決⒏)I上的雙極型集成電路的熱效應(yīng)問題。
雙極型集成電路(Blpohr Int囈rated Grcuit)是以lllDn或pnp型雙極型晶體管為基礎(chǔ)的集成電路。它是最早出現(xiàn)的集成電路,具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、PAM3101DAB300模擬精度高等優(yōu)點(diǎn),一直在模擬電路和功率電路中占據(jù)主導(dǎo)地位。但是,雙極型集成電路的功耗大,縱向尺寸無法跟隨橫向尺寸成比例地縮小,因此隨著CMOs集成電路的迅猛發(fā)展,雙極型電路在功耗和集成度方面受到了CMOS技術(shù)的嚴(yán)重挑戰(zhàn)。
雙極型集成電路的基本I藝大致可分為兩大類:一類是需要在元件之問制作電隔離區(qū)的I藝,另一類是元件之間采取自然隔離的工藝。采用第一類I藝的主要有晶體管-晶體管邏輯(TTI')電路、射極耦合邏輯(ECI')電路、肖特基晶體管-晶體管邏輯(STTI冫)電路等。它們的工藝過程基本相同,只是ECI'電路比TTI'電路少了摻金工藝,STTL電路則比TTL電路多了肖特基二極管I藝。隔離置藝有pn結(jié)隔離、介質(zhì)隔離及1結(jié)-介質(zhì)混合隔離。而采用元件之間自然隔離工藝的另一類電路主要是集成注入邏輯(I2I冫)電路。
近年來,為了進(jìn)一步提高雙極型集成電路性能,如提高電流增益及截止頻率,其制造工藝也大量地采用MOS電路中的新工藝技術(shù),發(fā)展出多種先進(jìn)的雙極型集成電路丁藝技術(shù),如先進(jìn)隔離技術(shù)、多晶硅發(fā)射極工藝、自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)工藝和異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管技術(shù)等。另外,銅互連系統(tǒng)也將應(yīng)用于先進(jìn)的雙極型集成電路工藝中。
雙極型集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展使其在集成度較小的高性能電路尤其是通信系統(tǒng)中繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)位置。⒏訂襯底的采用是其工藝技術(shù)發(fā)展的重要方向,但必須解決高驅(qū)動(dòng)電流帶來的熱效應(yīng)問題。近年來出現(xiàn)的以&)A(Sihcon oll Anythl△bc)為襯底制造新型射頻(RF)雙極型電路技術(shù),通過采用高熱導(dǎo)率絕緣材料替代二氧化硅,能夠解決⒏)I上的雙極型集成電路的熱效應(yīng)問題。
上一篇:nMOS LDD的形成
上一篇:隔離工藝
熱門點(diǎn)擊
- 硅片規(guī)格及用途
- 硅基雙極型npn晶體管芯片制造的主要工藝流程
- 調(diào)整MOs晶體管的閾值電壓
- 檢測(cè)、分析外延層缺陷及其產(chǎn)生原因非常重要
- 分析測(cè)量電阻率誤差的來源
- 蒸鍍?cè)O(shè)備
- 典型氣象衛(wèi)星的有效載荷
- 印度INSAT衛(wèi)星
- 波門跟蹤
- 輻射定標(biāo)基本理論
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究