這類雜質(zhì)離子主要有K・、Na、Ca2、Mg2、「e:、H、(OH)、F`α、s、CC):^等,雜質(zhì)離子來源于空氣、生產(chǎn)用具、化學(xué)藥品、去離子水,以及操作者的汗液、呼氣等。TA8122AF離子型雜質(zhì)是化學(xué)吸附、化學(xué)鍵力強,能改變硅片表面電學(xué)特性,成為表面自由電子束縛中Jb;電子陷阱,是硅表面界面態(tài)發(fā)生變化的原因之一。這類雜質(zhì)在硅片表面可以移動,清洗去除較分子型雜質(zhì)的難度大。

   原子型雜質(zhì)吸附

   雜質(zhì)原子有Au、Ag、Cu、Fe、Nl等,主要來源于酸性腐蝕液,通過置換反應(yīng)將金屬離子還原成原子而被吸附在硅片表面。原子型雜質(zhì)是化學(xué)吸附,吸附作用最強、最難以清除。

   硅片清洗去除上述三種雜質(zhì)吸附應(yīng)由易到難,一般程序為:去油污→去離子→去原子。這一順序不能改變,特別是應(yīng)先去除油污,油脂都是疏水物質(zhì),它的存在阻礙水基洗液接近硅片表面,使得無法去除其他沾污雜質(zhì)。

    清洗設(shè)備與試劑

   采用KQ5200DB型數(shù)控超聲波清洗器;柜式反滲透超純水機,水質(zhì)在10MΩ・cm以上。試劑有:分析純甲苯、丙酮、乙醇試劑;DZ-1、Dz-2半導(dǎo)體工業(yè)專用洗液,或者也可使用酸、堿洗液,堿性洗液,成分(體積比)為NHlOH:H2Oz:H20=1:2:5,Ⅱ・酸性洗液,成分(體積比)為HC卜H2O2:H2C)=1:2:8。

   超聲波清洗器(槽)是利用設(shè)各內(nèi)的超聲波振子(如壓電振子)振動,產(chǎn)生可達數(shù)千個大氣壓的沖擊波的能量,以水等液體為媒介,沖擊波將被洗物(如硅片)表面吸附的雜質(zhì)剝離去除。