硅片的一次清洗采用典型的RCA清洗法,程序?yàn)?去油污→去離子→去原子。

   硅片表面有機(jī)雜質(zhì)的去除

   依次用甲苯、丙酮、 TAS3001CPW無(wú)水乙醇棉球沿同定方向擦拭硅片表面,先擦背面再擦正面,去除有機(jī)油污。如果硅片表面有蠟脂或有機(jī)物污染嚴(yán)重,可采取依次使用甲苯、丙酮、無(wú)水乙醇進(jìn)行超聲波清洗。甲苯、丙酮、乙醇均是有機(jī)物溶劑,對(duì)有機(jī)油污的溶解能力:甲苯>丙酮)乙醇。試劑自身的溶解能力:甲苯能溶于丙酮,難溶于乙醇,丙酮能溶于乙醇難溶于水,乙醇能溶于水。

    注意:考慮去油污能力,以及避免去污溶劑帶來(lái)的新污染,甲苯、丙酮、乙醇的清洗順序不能顛倒。

   硅片表面無(wú)機(jī)雜質(zhì)的去除

   將已擦拭好并晾干的硅片置于石英花籃上。依次用配好的半導(dǎo)體 工業(yè)專(zhuān)用洗液DZ-1、DZ 2超聲波清洗各約81・・1n。洗液配比:DZ 1(或DZ-2):超純水≈⒈9,用量以沒(méi)過(guò)硅片為準(zhǔn)。DZ△、DZ-2超聲波清洗之間和之后,分別用冷、熱超純水反復(fù)漂洗數(shù)遍,直至漂凈洗液的泡沫為止。

   如果采用酸堿洗液,先用I彡堿性洗液超聲清洗約8min,用去超純水反復(fù)煮沸清洗,再用冷、熱去超純水反復(fù)沖洗數(shù)遍。然后用Ⅱ=酸性洗液同樣清洗。用酸、堿洗液進(jìn)行清洗一定要注意安全,廢液應(yīng)回收。清洗好的硅片直接用于下一步一次氧化。