一次氧化前的清洗為什么要采取上述步驟?
發(fā)布時間:2017/6/3 22:53:50 訪問次數(shù):743
(1)一次氧化前的清洗為什么要采取上述步驟?去油污所用化學試劑的順序可否顛倒,為什么?
(2)若清洗使用的去離子水的純度低,會給下TAS3208IPZP步氧化帶來什么影響?
一次氧化
一次氧化是在硅片表面通過熱氧化I藝生長一層厚度約0.6um的二氧化硅薄膜,作為基區(qū)硼擴散的掩膜。二氧化硅薄膜的制備方法很多,熱氧化法與CVlD法或PVD法相比淀積的氧化膜更致密,針孔少,適合作為摻雜掩膜。在熱氧化方法中.干氧生長的氧化膜叉比濕氧氧化膜致密,針孔少,而且表面干燥適于光刻。但是,干氧氧化速率太慢。濕氧氧化膜比十氧氧化膜疏松,針孔密度大,表面濕潤,為硅氧烷結(jié)構(gòu),光刻時容易浮膠;而氧化速率卻遠快于干氧。囚此,一次氧化采取:干氧一濕氧-―干氧、交替方法來生長擴散掩膜。
工藝設(shè)備與工藝條件
工藝設(shè)各:3英寸高溫氧化爐,源瓶,控溫儀,氣體流量計.石英舟,氧氣瓶。工藝條件:爐溫為1180±1℃,時間為10min干氧→50min濕氧→lO min干氧;干、濕氧的氧氣流量都是1凵lllln;濕氧用超純水放人源瓶,用氧氣攜帶,進人氧化爐,用控溫儀水浴加熱源瓶中的超純水,溫度控制在98℃。
(1)一次氧化前的清洗為什么要采取上述步驟?去油污所用化學試劑的順序可否顛倒,為什么?
(2)若清洗使用的去離子水的純度低,會給下TAS3208IPZP步氧化帶來什么影響?
一次氧化
一次氧化是在硅片表面通過熱氧化I藝生長一層厚度約0.6um的二氧化硅薄膜,作為基區(qū)硼擴散的掩膜。二氧化硅薄膜的制備方法很多,熱氧化法與CVlD法或PVD法相比淀積的氧化膜更致密,針孔少,適合作為摻雜掩膜。在熱氧化方法中.干氧生長的氧化膜叉比濕氧氧化膜致密,針孔少,而且表面干燥適于光刻。但是,干氧氧化速率太慢。濕氧氧化膜比十氧氧化膜疏松,針孔密度大,表面濕潤,為硅氧烷結(jié)構(gòu),光刻時容易浮膠;而氧化速率卻遠快于干氧。囚此,一次氧化采取:干氧一濕氧-―干氧、交替方法來生長擴散掩膜。
工藝設(shè)備與工藝條件
工藝設(shè)各:3英寸高溫氧化爐,源瓶,控溫儀,氣體流量計.石英舟,氧氣瓶。工藝條件:爐溫為1180±1℃,時間為10min干氧→50min濕氧→lO min干氧;干、濕氧的氧氣流量都是1凵lllln;濕氧用超純水放人源瓶,用氧氣攜帶,進人氧化爐,用控溫儀水浴加熱源瓶中的超純水,溫度控制在98℃。
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