在雙極型晶體管中,硼擴(kuò)散的目的是形成集電結(jié)和一定雜質(zhì)分布的基區(qū)。硼擴(kuò)散TAS5704PAP采用固態(tài)氮化硼陶瓷源,開管兩步式擴(kuò)散工藝,兩步擴(kuò)散之間漂硼硅玻璃。

   第一步擴(kuò)散――預(yù)淀積,在較低溫度氮?dú)獗Ｗo(hù)下,采用恒定源擴(kuò)散方式將硼源擴(kuò)散到基區(qū)光刻窗口表層;

   第二步擴(kuò)散――再分布,采用限定源的擴(kuò)散方式,在氧氣氣氛條件下,將基區(qū)光刻窗口表層硼雜質(zhì)推進(jìn)到內(nèi)部,達(dá)到基區(qū)結(jié)深,同時(shí)在基區(qū)窗口生長熱氧化層,作為發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散的掩膜。

   工藝設(shè)備與工藝條件

   工藝設(shè)各:雙管3英寸高溫?cái)U(kuò)散爐,sZ82型四探針電阻測試儀,源瓶,控溫儀,氣體流量計(jì),石英舟,氧氣瓶,氮?dú)馄俊?/span>

   試劑:氮化硼陶瓷源片(BN),硅膠干燥劑,分析純HF。

   硼源活化:爐溫975℃,氧氣流量為1I∥min,時(shí)間約⒛min。

   預(yù)淀積:爐溫975℃,氮?dú)饬髁繛?.5L/min,時(shí)間在15~2o min。

   再分布:爐溫1170℃,氧氣流量為lI'/nlln,濕氧水溫98℃,時(shí)問為511・1n十氧-40min濕氧→10min干氧。