主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB互連部分實(shí)物照片
發(fā)布時(shí)間:2017/6/17 19:40:55 訪問(wèn)次數(shù):386
同時(shí),對(duì)該產(chǎn)品擴(kuò)展模塊上的I/0電纜進(jìn)行IEC61OOO-⒋4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的E田/B測(cè)試時(shí), E10DS1-TE12L發(fā)現(xiàn)只要測(cè)試電壓超過(guò)±1kⅤ,該產(chǎn)品就會(huì)出現(xiàn)誤動(dòng)作現(xiàn)象。
【原因分析】
根據(jù)測(cè)試結(jié)果,由于主機(jī)本身能否通過(guò)輻射發(fā)射測(cè)試,而且擴(kuò)展模塊I/O端口的E「r/B測(cè)試等級(jí)也只有±1kⅤ,因此問(wèn)題一般會(huì)出在擴(kuò)展模塊上,或者擴(kuò)展模塊與主機(jī)的互連線上。分析擴(kuò)展模塊及擴(kuò)展模塊與主機(jī)的互連設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn),主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB之間是通過(guò)一根普通的扁平電纜實(shí)現(xiàn)互連的,扁平電纜中信號(hào)分別是:地、地、信號(hào)、信號(hào)、信號(hào)、信號(hào)、地、信號(hào)、地、電源;ミB電纜中信號(hào)的最高頻率為3M比左右,而且該信號(hào)的上升沿小于1ns。圖3.53是主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB互連部分實(shí)物照片。
同時(shí),對(duì)該產(chǎn)品擴(kuò)展模塊上的I/0電纜進(jìn)行IEC61OOO-⒋4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的E田/B測(cè)試時(shí), E10DS1-TE12L發(fā)現(xiàn)只要測(cè)試電壓超過(guò)±1kⅤ,該產(chǎn)品就會(huì)出現(xiàn)誤動(dòng)作現(xiàn)象。
【原因分析】
根據(jù)測(cè)試結(jié)果,由于主機(jī)本身能否通過(guò)輻射發(fā)射測(cè)試,而且擴(kuò)展模塊I/O端口的E「r/B測(cè)試等級(jí)也只有±1kⅤ,因此問(wèn)題一般會(huì)出在擴(kuò)展模塊上,或者擴(kuò)展模塊與主機(jī)的互連線上。分析擴(kuò)展模塊及擴(kuò)展模塊與主機(jī)的互連設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn),主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB之間是通過(guò)一根普通的扁平電纜實(shí)現(xiàn)互連的,扁平電纜中信號(hào)分別是:地、地、信號(hào)、信號(hào)、信號(hào)、信號(hào)、地、信號(hào)、地、電源;ミB電纜中信號(hào)的最高頻率為3M比左右,而且該信號(hào)的上升沿小于1ns。圖3.53是主機(jī)中的PCB和擴(kuò)展中的PCB互連部分實(shí)物照片。
上一篇:輻射產(chǎn)生原理
熱門點(diǎn)擊
- 液態(tài)TEOS源通常置于源瓶中用載氣鼓泡方式攜
- 碳膜電阻體會(huì)因電流過(guò)大而嚴(yán)重?zé)龎?/a>
- 堅(jiān)膜
- 低勢(shì)壘高度的歐姆接觸
- 輻射發(fā)射結(jié)果就超標(biāo),其他電纜對(duì)輻射發(fā)射幾乎沒(méi)
- 光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)
- 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點(diǎn)
- 共模噪聲所導(dǎo)致的傳導(dǎo)騷擾原理
- 小島
- 極紫外光刻(EUV)
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細(xì)]
- 車載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究