可見,當表面濃度Cls、雜質(zhì)擴散系數(shù)D以及擴散時間r確定后,雜質(zhì)的擴散分布也就確定了。MAX3042BCSE+T其中,Cs和D主要取決于不同的雜質(zhì)元素和擴散溫度。Cs是半導體內(nèi)表面處的雜質(zhì)濃度,它并不等于半導體周圍氣氛中的雜質(zhì)濃度。

   當氣氛中雜質(zhì)的分壓強較低時,在半導體內(nèi)表面處的雜質(zhì)溶解度將與其周圍氣氛中雜質(zhì)的分壓強成正比。當雜質(zhì)分壓強較高時,則與周圍氣氛中雜質(zhì)的分壓強無關,數(shù)值上就等于擴散溫度下雜質(zhì)在半導體中的固溶度。在通常的擴散 條件下,表面雜質(zhì)濃度可近似取其擴散溫度下的固溶度。因此,雜質(zhì)的同溶度給雜質(zhì)擴散的表面雜質(zhì)濃度設置了上限。如果擴散所要求的表面雜質(zhì)濃度大于某雜質(zhì)元素在硅中的最大固溶度,那么就無法用這種元素來獲得所希望的雜質(zhì)分布。

   雜質(zhì)元素和擴散溫度選定之后,Cs和D就基本定了,若再將擴散時間r定下來,雜質(zhì)在襯底中的分布也就確定了。擴散時間不同,雜質(zhì)分布曲線不同,其擴散的深度(或擴散結深)不同,擴人硅片內(nèi)的雜質(zhì)總量也不同。