AD為增強(qiáng)擴(kuò)散系數(shù);蜂為氧化速率;″為經(jīng)驗(yàn)參數(shù),其典型值在⒍2訊3之間。MAX3042BEWE然而實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在高溫下進(jìn)行氧化,硼的氧化增強(qiáng)擴(kuò)散效果隨氧化溫度的升高而減弱,而銻的擴(kuò)散卻可以得到增強(qiáng)。對(duì)于硼擴(kuò)散來(lái)說(shuō),當(dāng)氧化溫度超過(guò)H50℃時(shí),硼擴(kuò)散就被阻滯而不是增強(qiáng)。此外,生長(zhǎng)厚氧化層時(shí)也有類(lèi)似的現(xiàn)象。我們知道在高溫氧化和生長(zhǎng)厚氧化層的過(guò)程中,由s/SiO2界面向硅內(nèi)注入的是空位而不再是間隙硅原子。這樣,硼擴(kuò)散就會(huì)囚空位注入而受到阻滯。對(duì)銻擴(kuò)散來(lái)說(shuō),由于空位注入而得到增強(qiáng)。這就從另一個(gè)方面驗(yàn)證了雙擴(kuò)散機(jī)制。另外,氧化增強(qiáng)與硅表面的取向有關(guān),在干氧氧化時(shí),氧化增強(qiáng)的效果按(111)、(110)、(100)的順序遞減。

    在npn窄基區(qū)晶體管制造中,如果基區(qū)和發(fā)射區(qū)分別擴(kuò)硼和擴(kuò)磷,則發(fā)現(xiàn)在發(fā)射區(qū)正下方的基區(qū)AD為增強(qiáng)擴(kuò)散系數(shù);蜂為氧化速率;″為經(jīng)驗(yàn)參數(shù)。

   然而實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在高溫下進(jìn)行氧化,硼的氧化增強(qiáng)擴(kuò)散效果隨氧化溫度的升高而減弱,而銻的擴(kuò)散卻可以得到增強(qiáng)。對(duì)于硼擴(kuò)散來(lái)說(shuō),當(dāng)氧化溫度超過(guò)H50℃時(shí),硼擴(kuò)散就被阻滯而不是增強(qiáng)。此外,生長(zhǎng)厚氧化層時(shí)也有類(lèi)似的現(xiàn)象。我們知道在高溫氧化和生長(zhǎng)厚氧化層的過(guò)程中,由s/SiO2界面向硅內(nèi)注入的是空位而不再是間隙硅原子。這樣,硼擴(kuò)散就會(huì)囚空位注入而受到阻滯。對(duì)銻擴(kuò)散來(lái)說(shuō),由于空位注入而得到增強(qiáng)。這就從另一個(gè)方面驗(yàn)證了雙擴(kuò)散機(jī)制。另外,氧化增強(qiáng)與硅表面的取向有關(guān),在干氧氧化時(shí),氧化增強(qiáng)的效果按(111)、(110)、(100)的順序遞減。