然而實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在高溫下進(jìn)行氧化,硼的氧MAX3042BEWE+T化增強(qiáng)擴(kuò)散效果隨氧化溫度的升高而減弱,而銻的擴(kuò)散卻可以得到增強(qiáng)。對(duì)于硼擴(kuò)散來(lái)說(shuō),當(dāng)氧化溫度超過(guò)H50℃時(shí),硼擴(kuò)散就被阻滯而不是增強(qiáng)。此外,生長(zhǎng)厚氧化層時(shí)也有類似的現(xiàn)象。我們知道在高溫氧化和生厚氧化層的過(guò)程中,由s/SiO2界面向硅內(nèi)注入的是空位而不再是間隙硅原子。這樣,硼擴(kuò)散就會(huì)囚空位注入而受到阻滯。對(duì)銻擴(kuò)散來(lái)說(shuō),由于空位注入而得到增強(qiáng)。這就從另一個(gè)方面驗(yàn)證了雙擴(kuò)散機(jī)制。另外,氧化增強(qiáng)與硅表面的取向有關(guān),在干氧氧化時(shí),氧化增強(qiáng)的效果按(111)、(110)、(100)的順序遞減。

   由于高濃度擴(kuò)散磷時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量空位,從而可使發(fā)射區(qū)正下方的硼得以加速擴(kuò)散,產(chǎn)生發(fā)射極推進(jìn)效應(yīng)。

   前面所討論的都是指雜質(zhì)垂直于半導(dǎo)體表面進(jìn)行擴(kuò)散的一維情況,但是對(duì)實(shí)際中最常采用的掩蔽擴(kuò)散而言,顯然只有擴(kuò)散窗口中部區(qū)域才可近似為一維擴(kuò)散,對(duì)靠近窗口邊緣的區(qū)域除了垂直于表面的擴(kuò)散作用外,還有平行于表面的橫向擴(kuò)散作用。

   擴(kuò)散往往是在硅片表面的特定區(qū)域進(jìn)行的,而不是在整個(gè)硅片表面進(jìn)行,這種擴(kuò)散稱為掩蔽擴(kuò)散。通常在擴(kuò)散工藝之前,先在硅片表面生長(zhǎng)一定厚度、質(zhì)量較好的二氧化硅層,然后用光刻或者其他方法去掉需要摻雜區(qū)域的二氧化硅以形成擴(kuò)散掩蔽窗口。而需要擴(kuò)散的雜質(zhì)通過(guò)窗口以垂直硅表面進(jìn)行擴(kuò)散,但也將在窗口邊緣附近的硅內(nèi)進(jìn)行平行表面的橫向擴(kuò)散。