熱絲化學氣相淀積(Hot Ⅶre CVD,F叩為0)是一種新近發(fā)展起來的CV「l薄膜制備方法。它采PIC12F752用高溫熱絲分解前驅氣體,通過調節(jié)前驅氣體組分配比和熱絲溫度而獲得大面積的高質量淀積薄膜。例如,用⒏H4(H2)制備HWCⅥ)多晶硅薄膜。用鎢絲作為熱絲,熱絲溫度為18∞℃,襯底溫度為250℃,淀積室真空度為42Pa,襯底與熱絲距離為48mm。⒊H4在熱絲處分解為游離態(tài)的Sl和H,s被襯底吸附生成多晶硅,兩個H生成H2離開。

    HWCX/△D方法具有設各簡單、淀積溫度低、不引人等離子體等優(yōu)點。

   激光誘導化學氣相淀積

   激光誘導化學氣相淀積(I'aser CVD,LCVD)是將激光應用于常規(guī)Cˇ0的一種新技術。通過激光活化反應劑氣體使化學反應能在較低溫度下進行,即激光能轉化為化學能,在這個意義上LC`0類似于PEC`①。

   LC0方法是用激光束照射淀積室內的反應劑氣體,激發(fā)并維持化學反應發(fā)生,固態(tài)生成物淀積在襯底上生成薄膜。LCX/D的最大優(yōu)點是不直接加熱襯底,空問選擇性好,甚至可以使薄膜生長限制在襯底的任意微區(qū)內,進行選擇淀積,而且淀積速率也較快。