離子與襯底的作用主要是對襯底表面的撞擊,這有可能使得已淀積物發(fā)生濺射,濺射物以 PIC12F675不同角度離開時,有一些會淀積在高臺階邊緣,從而改善臺階覆蓋。濺射也影響薄膜的密度和附著性。襯底電極與等離子體的電勢差對離子與表面的相互作用有影響。電勢差可能是由外加偏置電場產(chǎn)生的,也可能是由離子撞擊表面使之帶電而產(chǎn)生的自偏置。離子與表面相互作用會改變薄膜的性質(zhì),如改變薄膜內(nèi)力。

   由以上工藝機理可知,PEC`①除了具有較低I藝溫度的優(yōu)勢之外,通常所淀積薄膜的臺階覆蓋性、附著性也好于川℃⑷。但是,采用PECXT,得到的薄膜由于淀積溫度較低,生成的副產(chǎn)物氣體未完全排除,一般含有高濃度的氫,有時也含有相當(dāng)劑量的水和氮,因此薄膜疏松,密度低。而且薄膜材料多是非理想的化學(xué)配比,如制備的氧化膜不是嚴(yán)格的二氧化硅,氮化硅也不是嚴(yán)格的四氮化三硅。如果襯底能夠耐受高溫的話,通常淀積完成之后進(jìn)行原位高溫烘烤來降低氫的含量,并使薄膜致密,這些烘烤還可以用來控制薄膜應(yīng)力。

   PECl/D是典型的表面反應(yīng)速率控制淀積方法,因此要想保證薄膜的均勻性,就需要精確控制襯底溫度。此外,影響薄膜淀積速率與質(zhì)量的主要因素還有反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)、射頻功率的強度和頻率、反應(yīng)劑與稀釋劑氣體劑量、抽氣速率。PEC、0法制各的薄膜適合作為集成電路或分立器件芯片的鈍化和保護(hù)介質(zhì)薄膜。