自1984年日本東芝公司提出快速閃存存儲(chǔ)器的概念以來,平面閃存技術(shù)經(jīng)歷了長達(dá)30年的快速發(fā)展時(shí)期。一方面,為了降低成本,存儲(chǔ)單元的尺寸持續(xù)縮小。TA48033F但隨著閃存技 術(shù)進(jìn)入1Jnm技術(shù)節(jié)點(diǎn),閃存單元的耐久性和數(shù)據(jù)保持特性急劇退化,存儲(chǔ)單元之間的耦合不斷增大,△藝穩(wěn)定性和良率控制問題一直無法得到有效解決,從而從技術(shù)上限制了閃存單元的進(jìn)一步按比例縮小。另一方面,代替?zhèn)鹘y(tǒng)的浮柵閃存存儲(chǔ)器,通過按比例縮小的方式實(shí)現(xiàn)高密度集成,尋找更高密度陣列架構(gòu)的努力從未停止,三維存儲(chǔ)器的概念應(yīng)運(yùn)而生。

   ⒛01年,Tohoku大學(xué)的T.Endoh等人在IEDM上首先報(bào)道了基于多晶硅浮柵存儲(chǔ)層的堆疊環(huán)形柵的閃存概念[54],⒛06年,韓國二星電子公司的S,M。Jung在IEDM上報(bào)道了基于電荷俘獲存儲(chǔ)概念的雙層閃存陣列的堆疊結(jié)構(gòu)[55]。但直到2007年日本東芝公司的H,Tanaka在VI's1會(huì)議上報(bào)道了BiCs(Bit Cost⒌alable)NAND閃存結(jié)構(gòu)[361,三維存儲(chǔ)器的研發(fā)真正成為各大存儲(chǔ)器公司和科研院所的重要研發(fā)方向。之后韓國二星電子公司先后提出了TCAT(Terabit Cdl Array Transistor)L57J、VsAT(Vertica卜Stacke山ArrarTransistor)「3:]和VG NAND(Vertical Gate NAND)結(jié)構(gòu)[59],日本東芝公司提出了P BiCS

(Pipe BiCS)結(jié)構(gòu)「Ⅱl,韓國海力士半導(dǎo)體公司提出了STArT結(jié)構(gòu)ˉ。l],臺(tái)灣旺宏公司也提出了白己的VG NAND結(jié)構(gòu)「621,這些結(jié)構(gòu)均采用了電荷俘獲存儲(chǔ)(charge trapping)的概念;美國美光公司和韓國海力士公司也提出了基于多晶硅浮柵存儲(chǔ)層的二維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。各研

究機(jī)構(gòu)與公司開發(fā)的不同架構(gòu)△維存儲(chǔ)器如圖3,3O所示。