套刻精度一般由光刻機上移動平臺的步進(stepping)、掃描(scanning)同步精度 (synchron訖ation accur挺y)、溫度控制、鏡頭像差、像差穩(wěn)定性決定。P2041A當(dāng)然,套刻精度也取決于對套刻記號的識別、讀取精度以及工藝對套刻記號的影響,工藝對硅片的形變(如各種加熱△藝、退火工藝)等等�，F(xiàn)代的光刻機步進能夠?qū)杵木鶆蚺蛎涍M行補償,還可以對硅片的非均勻畸變進行補償,如阿斯麥公司的推出的“格點測繪”GridMapper軟件。它可以糾正非線性的硅片曝光格點的畸變。

   線寬均勻性分為兩類:曝光區(qū)域內(nèi)(ixltra ncld)的均勻性和曝光區(qū)域之間(inter Ⅱeld)的均勻性。

   曝光區(qū)域內(nèi)的線寬均勻性,主要是由掩膜版線寬均勻性(通過掩膜版誤差因子傳遞)、能量的穩(wěn)定性(在掃描時)、掃描狹縫內(nèi)的照明均勻性、焦距(focus)/找平(leveling)對于曝光區(qū)域內(nèi)每一點的均勻性、鏡頭的像差(如彗形像差、散光)、掃描的同步精度誤差(Moving⒏andard Deviation,MSD)等。

   曝光區(qū)域之間的線寬均勻性,主要是由照明能量的穩(wěn)定性、硅片襯底膜厚的在硅片表面的分布均勻性(主要是由于涂膠均勻性、其他工藝帶來的薄膜厚度均勻性)、硅片表面的平整度、顯影相關(guān)烘焙的均勻性、顯影液噴淋的均勻性等。