曝光能量寬裕度指的是在線寬允許變化范圍內(nèi),曝光能量允許的最大偏差。如線寬P16C2510-133L為90nm的線條,線寬隨能量的變化為3nm/mJ,而線寬的允許變化范圍是±9nm,那么允許的曝光能量變化范圍是9×2/3=6mJ。如果曝光能量是30mJ,能量寬裕度相對(duì)曝光能量為⒛%。

    對(duì)焦深度一般是同光刻機(jī)焦距控制的性能相關(guān)的。如193nm的光刻機(jī)的焦距控制精度,包括機(jī)器的焦平面的穩(wěn)定性、鏡頭的像場(chǎng)彎曲、散光像差、找平的精度、硅片平臺(tái)的平整度等,為120nm,那么一個(gè)能夠量產(chǎn)的工藝最小的焦深應(yīng)該在120nm以上,如果加上其他工

藝的影響,如化學(xué)一機(jī)械平坦化(chemica卜mechanical planaozation),最小焦深還需要提高,如提到200nm。當(dāng)然,后面會(huì)講到,焦深的提高可能會(huì)以能量寬裕度為代價(jià)。

   掩膜版誤差因子(MEF)定義為硅片線寬由于掩膜版上的線寬偏差造成的偏差同掩膜版上偏差的比值。

   通常情況下,MEF接近或者等于1.0。但是,在圖形空間周期接近衍射極限,MEF會(huì)迅速增加。太大的誤差因子會(huì)造成硅片上線寬均勻性的變差。或者,對(duì)應(yīng)給定的線寬均勻性要求,對(duì)掩膜版線寬均勻性提出過(guò)高要求。