銅膜退火前后的晶粒大小
發(fā)布時(shí)間:2017/10/24 20:17:05 訪問次數(shù):1393
退火工藝雖然簡單, XC17512LSO20I但作用非常重要,將直接影響到最終所鍍銅膜的物理機(jī)械性能、缺陷狀況、電學(xué)性能以及產(chǎn)品的可靠性。下面將對與退火過程相關(guān)的一些主要問題進(jìn)行闡述。
退火過程中的應(yīng)力變化
圖6.44為銅膜退火過程中的應(yīng)力變化曲線。電鍍結(jié)束時(shí),銅的晶粒較小,銅膜的應(yīng)力也較小,為張應(yīng)力,一般為幾十個(gè)MPa,退火結(jié)束之后,由于晶粒的長大銅膜的應(yīng)力會迅速增加到3OOMPa左右[3:1。如此大的應(yīng)力使得硅片產(chǎn)生巨大的翹曲變形(warpage),隨著膜厚的增加,此變形會增加。尤其是隨著集成度的增加,更多層的金屬互連被應(yīng)用,翹曲變形的情況將變得更加嚴(yán)重。嚴(yán)重的情況下使硅片無法進(jìn)行后續(xù)的工序,如化學(xué)機(jī)械研磨、曝光等,甚至無法傳片。通過化學(xué)電鍍工藝條件的優(yōu)化可以有效降低銅膜在退火之后的應(yīng)力,另外,采用低溫長時(shí)間的退火方式(例如爐管)也可以降低應(yīng)力。
退火工藝雖然簡單, XC17512LSO20I但作用非常重要,將直接影響到最終所鍍銅膜的物理機(jī)械性能、缺陷狀況、電學(xué)性能以及產(chǎn)品的可靠性。下面將對與退火過程相關(guān)的一些主要問題進(jìn)行闡述。
退火過程中的應(yīng)力變化
圖6.44為銅膜退火過程中的應(yīng)力變化曲線。電鍍結(jié)束時(shí),銅的晶粒較小,銅膜的應(yīng)力也較小,為張應(yīng)力,一般為幾十個(gè)MPa,退火結(jié)束之后,由于晶粒的長大銅膜的應(yīng)力會迅速增加到3OOMPa左右[3:1。如此大的應(yīng)力使得硅片產(chǎn)生巨大的翹曲變形(warpage),隨著膜厚的增加,此變形會增加。尤其是隨著集成度的增加,更多層的金屬互連被應(yīng)用,翹曲變形的情況將變得更加嚴(yán)重。嚴(yán)重的情況下使硅片無法進(jìn)行后續(xù)的工序,如化學(xué)機(jī)械研磨、曝光等,甚至無法傳片。通過化學(xué)電鍍工藝條件的優(yōu)化可以有效降低銅膜在退火之后的應(yīng)力,另外,采用低溫長時(shí)間的退火方式(例如爐管)也可以降低應(yīng)力。
上一篇:退火過程中晶粒的變化
熱門點(diǎn)擊
- sACVD沉積后的高溫退火
- 選擇性鍺硅外延工藝
- 在微電子工藝中常用的介質(zhì)薄膜還有氮化硅薄膜
- 曝光能量寬裕度指的是在線寬允許變化范圍內(nèi)
- 為了保證Ti/TiN起到黏合和阻擋作用
- 為什么sACⅤD被再次使用
- 化學(xué)電鍍的銅線已經(jīng)成為金屬互連的主要材料
- 現(xiàn)在世界上主要光刻機(jī)制造商為荷蘭的阿斯麥
- 銅膜退火前后的晶粒大小
- 金屬柵極的沉積方法
推薦技術(shù)資料
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究