2009年阿斯麥公司的埃爾法驗證機的硅片圖像
發(fā)布時間:2017/11/1 19:43:55 訪問次數(shù):337
在圖7,111中展示了2009年阿斯麥公司的埃爾法驗證機的極限圖像。其中密集線條可以分辨至28nm半周期(Half Pitch,HP)。到F26nm半周期,圖像開始明顯變差。極紫外光刻吸引注意的原l,xj如下:O39.5000MHZ-JC08-3-B
(1)單次曝光,速度潛力比193nm浸沒式的快1倍。
(2)波長短,不需要進行克服衍射效應(yīng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
(bl26nm半周朋 (c)32nm接觸孔在動態(tài)隨機
存儲器圖形的硅片圖像
圖7.111 2009年阿斯麥公司的埃爾法驗證機的硅片圖像
在圖7,111中展示了2009年阿斯麥公司的埃爾法驗證機的極限圖像。其中密集線條可以分辨至28nm半周期(Half Pitch,HP)。到F26nm半周期,圖像開始明顯變差。極紫外光刻吸引注意的原l,xj如下:O39.5000MHZ-JC08-3-B
(1)單次曝光,速度潛力比193nm浸沒式的快1倍。
(2)波長短,不需要進行克服衍射效應(yīng)的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
(bl26nm半周朋 (c)32nm接觸孔在動態(tài)隨機
存儲器圖形的硅片圖像
圖7.111 2009年阿斯麥公司的埃爾法驗證機的硅片圖像
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