在所用過的光刻的波長中,13.5nm可能不太容易被理解。從最初的g線、i線到當今的365nm、248nm和193nm,多少還是讓人感到,我們是在做“刻”。由于193nm浸沒式的O27.0-VX3MH-LF成功,157nm的項日已經(jīng)終止。從157nm往下走已經(jīng)沒有什么好的光源,于是人們就找到了13.5nm的極紫外光。光刻機所用的光譜圖如圖7,109所示。

  極紫外(EUV)光刻機由以下幾個部分組成:

   光源:高電壓激勵的等離子體放電燈(r,lschargc Produced Plasma,DPP)或者激光激勵(I'aser Produccd Plasma,I'PP)的等離子體放電燈和反射式光收集鏡片組。

   光刻機主體:包括反射鏡組(遇常為6片0.25NA)、主真空腔體(真空度<10:)、磁懸浮硅片平臺、掩膜版平臺、平臺驅(qū)動裝置、硅片輸送裝置等。在~9007年,阿斯麥公司推出了埃爾法驗證機(Alh Demo T。o1.AI)T)。如圖7.110所示「~T。其基本性能指標為

   數(shù)值孔徑:0.15~0.25

   套刻精度:12nm

   照明均勻性:修正前5.5/(從硅片平臺測得).修正后<0,5%(3倍標準偏差)雜光:<16%.[規(guī)格<8/1