隨著CM()S的沒計集成度增加,特征尺寸隨之縮減,由于M()s源極和漏極的接合深度的減小,W107DIP-5會衍t短通道效應(yīng),解決辦法是接合深度和金屬硅化物厚度跟MOS管同時減小。

   鈦與鈷相比,因為材質(zhì)的限制,鈷金屬硅化物可替代鈦金屬硅化物,顯出低的電阻、薄的厚度和低的熱處理溫度。不同的是形成鈷金屬硅化物時,是鈷原子進(jìn)人硅內(nèi),而鈦金屬硅化物是硅進(jìn)入鈦。同樣.沒有參與反應(yīng)的鈷的去除是用⒊11和SPM。sC1首先去除TiN,著用SPM去除未反應(yīng)的鈷。還有一種混合酸(H2α)|+HAc+HNO3),也常用來做Co的去除。

    金屬鎳(Ni)和鎳鉑(NiPt)合金濕法刻蝕

   當(dāng)邏輯CMOs制程推進(jìn)到65nm或巧nm以下時.性能更好的Ni或NiPt義替代了t)o,以形成阻值更小、更薄淺接面的Ni或NiPt硅化物。一定量鉑的加入,有利于淺接面的均勻性,阻止Ni在s中的快速擴散i阡j使柵極產(chǎn)生肩膀型的鎳硅化物。沒有反應(yīng)的NiPt,一般用鹽酸基體的水溶液去除:Ⅱ|,第一種是稀置水在85℃去除Pt,比例為3:1:4(37%HCl:7O%HN()∷:HJO)。反應(yīng)如下:

   Pt+8HNO∷―ˉ9Pt(NO-)∶+1NO:+4H2()

   Pt(NOⅡ)1+6HC卜一,H2PtClⅡ+4HNO⒔

   總反應(yīng)

   Pt△4HNΘ^+6HCl―→H∶Pttrl“+4No2+4H2()

    第二種是鹽酸和雙氧水的混合物,去除鉑的效果也很好。反應(yīng)如下:

    P1+2H,O,+6HCl―→H2PtC16+4∷H20但是,H()l為基體的刻蝕溶液,會嚴(yán)重地侵蝕Ni(Pt)Si或Ni(Pt)si(亠e,使金屬硅化物阻值

升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯皋體,而且對Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe無傷害、對金屬選擇性叉高。這就是日前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液,它的反應(yīng)如下:

   Pt+H?s()}+H?02一Pt(ΘH)2 十Pt() +H2S()

   美國FsI公司報道,它的ZETA系列或附加ViPR功能,可通過預(yù)先加熱不同比例SPM,使晶片溫度高達(dá)200℃。而進(jìn)一步研究表明,sPM在單一晶片機臺上應(yīng)用于15nm NiP1硅化物制程的清洗,器件無論在物理性能或電性方面都好于傳統(tǒng)HCl基體液處理Ⅱ。