集成電路的設(shè)計(jì)十分復(fù)雜,動(dòng)輒使用數(shù)百萬(wàn)到數(shù)十億個(gè)邏輯閘數(shù)量(gatc counO,每一RLF7030T-3R3M4R1個(gè)邏輯門和其他器件的電性參數(shù)必須同時(shí)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),否則丿小片可能無(wú)法止常運(yùn)作。一片品圓通常有數(shù)十到數(shù)萬(wàn)個(gè)芯片,保持制程的均一性相當(dāng)重要。不但要監(jiān)控關(guān)鍵的電性和物性,使其在整個(gè)品圓的范圍內(nèi)達(dá)到一定標(biāo)準(zhǔn)(sPEC);還得讓每一片生產(chǎn)的晶圓都達(dá)到這一標(biāo)準(zhǔn)。囚此必須引人統(tǒng)計(jì)制程管制來(lái)完善質(zhì)量監(jiān)控c日前主流的F丨;產(chǎn)系統(tǒng)是8英寸和12英寸△的I廠,12英寸晶圓較8英寸大了2.25倍,制程的控制難度也吏大;然雨j△廠把大的晶圓使用在高階的制程,對(duì)控制的要求反而更高。由于丁序相當(dāng)繁復(fù),從投片到產(chǎn)出可能包含近千個(gè)步驟,耗時(shí)一到∷個(gè)月.必需使用制造流程(F)rocess flow)控制各階段制程的質(zhì)董。

    芯片在出廠前要進(jìn)行各項(xiàng)檢測(cè),以確認(rèn)整個(gè)生產(chǎn)流程能達(dá)到卜述要求。出廠檢測(cè)包含器件電性參數(shù)的董測(cè)(Wafer Acceptance Test.WΛT),WAT量測(cè)包含大多數(shù)使用器件的參數(shù),如電阻器的阻值、M()s的柵極氧化層電容值、M()S「ET的特性等c這些電性參數(shù)百T以反應(yīng)制程I藝是否正常,inj掌握l(shuí)∶藝對(duì)電性的影響更是制程研發(fā)的關(guān)鍵。