柵極材料主要是使用低壓化學(xué)氣相層積的多晶硅柵(poly gate)。其重點(diǎn)在于對(duì)柵極線寬(gate length)和氧化層接口濃度(p。ly depletion)的控制。R05107ANP邏輯電路的邏輯柵主要使用最小線寬的M()S「ET,在這個(gè)條件下操作的M()S電性參數(shù)lAl為短通道效應(yīng)(Short ChannelEffect,SCE)而對(duì)線寬控制非常敏感。短通道效應(yīng)是柵極線寬變窄時(shí),源極和漏極的交互影響所致。圖12.2以0.25um和0.13um的制程為例,橫軸是柵極的線寬,縱軸是M(B開(kāi)啟電壓(threshold x oltage,Vt),lRl為組件設(shè)計(jì)不同(主要是指源極和漏極的PN juncti°n的濃度分布),二者對(duì)柵極線寬縮小時(shí)的反應(yīng)也就很不一樣。0,25um的開(kāi)啟電壓隨著柵極線寬縮小而降低,0.13um的開(kāi)啟電壓不但是先升后降,其下降的曲線也是相當(dāng)陡峭的。為了生產(chǎn)上有更好的控制,一般會(huì)避開(kāi)開(kāi)啟電壓下降太快的區(qū)域,這得依賴超淺PN結(jié)(ultrta_shall°w junction)的制程來(lái)達(dá)成。