MOSFET的電性參數(shù)控制對集成電路甚為重要,然而也受制程的影響最多。就柵極氧R0502053S化層而言,如何在降低有效氧化層的厚度(effective o茹dc thickncss)、抑制氧化層的漏電流(leakage)、保持通道內(nèi)載流子的遷移率(mobility)、可靠性(Gate O疝de Integrity,G()I)之間達到平衡一直是重要的課題;在運用上,高壓器件必須能承受高電壓,閃存對電子在氧化層中穿過發(fā)生的可靠性要求很高,而邏輯制程則是必須兼顧效能和漏電流。

   柵極氧化層以在硅基材上氧化生成的氧化硅(Si()2)為主,期望能達到最佳的載流子移動率和可靠性要求;有些應(yīng)用則會使用上化學(xué)氣相沉積(CVD)的氧化硅或其他材料。制程微縮的過程中不斷追求更薄的柵極氧化層以達到更高的電容值,但這也換來其中的漏電流不斷上升。氧化層在40nm以下漏電流已到不可忽視的狀態(tài),為了得到良好的控制,逐漸從爐管(furnace)這種一次處理多片的制程,轉(zhuǎn)成快速升降溫氧化(rapid thermal oxidation)加上電漿(plasma)摻氮的單片制程。摻氮的柵極氧化層(nitride o姑de)能有效提升介電常

數(shù),同時抑制漏電流,然而電漿摻入的氮極不穩(wěn)定,制程設(shè)計上必須要能更加嚴密監(jiān)控,才能達到均一性的要求。