高效的工作流程也是DFM能夠在工業(yè)上得到應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2017/11/12 16:48:25 訪問(wèn)次數(shù):400
高效的工作流程也是DFM能夠在工業(yè)上得到應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。我們從兩個(gè)方面介紹DFM的丁作流程。 R060047300第一個(gè)是如何識(shí)別D「M的誤差或者影響芯片制造和良率巾的熱點(diǎn)(hot spots),同時(shí)在一個(gè)T作流程中進(jìn)行高效地修正。這個(gè)I作流程能夠被集成到一個(gè)物理設(shè)計(jì)流程中。如圖13.4所示,我們給出了一個(gè)有代表性的DFM流程,這個(gè)流程用于邏輯和α)C設(shè)計(jì)的物理沒(méi)計(jì)和驗(yàn)證中。在圖13.1屮,整個(gè)DFM過(guò)程分析了物理的DFM結(jié)果,即DFM誤差的數(shù)據(jù)庫(kù)。然后把它們轉(zhuǎn)換成能夠用于靜態(tài)時(shí)序分析(STA)的電路模型格式,例如增量的靜態(tài)延遲格式(sI)F)。利用時(shí)序約束中的檢查和中斷修正以及其他芯片設(shè)計(jì)流程的要求的標(biāo)準(zhǔn)程序,I)FM流程用來(lái)改善100nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝的設(shè)計(jì)。
DFM流程現(xiàn)今廣泛用于EI)A(電子設(shè)計(jì)白動(dòng)化)的流程中Ι。從另一個(gè)方面看,DFM在半導(dǎo)體制造商中的影響更廣泛而且更國(guó)際化。這就是為什么在一個(gè)半導(dǎo)體公司中不同組織不同I種需要一起建立DFM兼容性設(shè)計(jì)。我們?cè)趫D13,5中給出這個(gè)流程。在圖13,5中,不同的工作過(guò)程產(chǎn)生的結(jié)果或者下一個(gè)階段的工作都必須是DFM兼容性設(shè)計(jì)。例如,基于模型的CMP分析能夠得到DFM作用向?qū)?而DFM作用向?qū)Р娣催^(guò)來(lái)得到DFM兼容性設(shè)計(jì)。類似的T作也nT以用于和電特性波動(dòng)相關(guān)的建模和分析中,它把原有的:△作加進(jìn)幾個(gè)階段最終也。T以得到DFM兼容性設(shè)計(jì)。如圖13.5所示,這個(gè)I作通過(guò)模型、器件、電路、驗(yàn)證和制造等不同階段的設(shè)計(jì)流程進(jìn)行開(kāi)展。對(duì)一個(gè)特定的半導(dǎo)體加I廠,這JIL階段以及每個(gè)階段所做的T作能夠?qū)儆诓煌墓?如同一個(gè)公司的不同部門(mén))。
高效的工作流程也是DFM能夠在工業(yè)上得到應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。我們從兩個(gè)方面介紹DFM的丁作流程。 R060047300第一個(gè)是如何識(shí)別D「M的誤差或者影響芯片制造和良率巾的熱點(diǎn)(hot spots),同時(shí)在一個(gè)T作流程中進(jìn)行高效地修正。這個(gè)I作流程能夠被集成到一個(gè)物理設(shè)計(jì)流程中。如圖13.4所示,我們給出了一個(gè)有代表性的DFM流程,這個(gè)流程用于邏輯和α)C設(shè)計(jì)的物理沒(méi)計(jì)和驗(yàn)證中。在圖13.1屮,整個(gè)DFM過(guò)程分析了物理的DFM結(jié)果,即DFM誤差的數(shù)據(jù)庫(kù)。然后把它們轉(zhuǎn)換成能夠用于靜態(tài)時(shí)序分析(STA)的電路模型格式,例如增量的靜態(tài)延遲格式(sI)F)。利用時(shí)序約束中的檢查和中斷修正以及其他芯片設(shè)計(jì)流程的要求的標(biāo)準(zhǔn)程序,I)FM流程用來(lái)改善100nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)工藝的設(shè)計(jì)。
DFM流程現(xiàn)今廣泛用于EI)A(電子設(shè)計(jì)白動(dòng)化)的流程中Ι。從另一個(gè)方面看,DFM在半導(dǎo)體制造商中的影響更廣泛而且更國(guó)際化。這就是為什么在一個(gè)半導(dǎo)體公司中不同組織不同I種需要一起建立DFM兼容性設(shè)計(jì)。我們?cè)趫D13,5中給出這個(gè)流程。在圖13,5中,不同的工作過(guò)程產(chǎn)生的結(jié)果或者下一個(gè)階段的工作都必須是DFM兼容性設(shè)計(jì)。例如,基于模型的CMP分析能夠得到DFM作用向?qū)?而DFM作用向?qū)Р娣催^(guò)來(lái)得到DFM兼容性設(shè)計(jì)。類似的T作也nT以用于和電特性波動(dòng)相關(guān)的建模和分析中,它把原有的:△作加進(jìn)幾個(gè)階段最終也。T以得到DFM兼容性設(shè)計(jì)。如圖13.5所示,這個(gè)I作通過(guò)模型、器件、電路、驗(yàn)證和制造等不同階段的設(shè)計(jì)流程進(jìn)行開(kāi)展。對(duì)一個(gè)特定的半導(dǎo)體加I廠,這JIL階段以及每個(gè)階段所做的T作能夠?qū)儆诓煌墓?如同一個(gè)公司的不同部門(mén))。
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