開封技術(shù)
發(fā)布時間:2017/11/13 20:57:45 訪問次數(shù):474
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式,岡此本節(jié)主要針對塑封器件的開封做簡單介紹。STV5348DT環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法,化學(xué)方法是最廣泛使用的方法,叉分手動開封和機(jī)械開封兩種。
手動開封:發(fā)煙硝酸或發(fā)煙硝酸和發(fā)煙硫酸的混酸。125~150℃烘焙約一小時,驅(qū)除水汽(建議);X射線透射技術(shù)確定芯片在器件中的位置和大小等離子刻蝕法(建議);用機(jī)械法磨去頂蓋一部分或在芯片上方開個圓孔,直到離芯片非常薄為止(建議)加熱發(fā)煙硝酸至60~70℃,用吸液管滴到黑膠表面.待反應(yīng)后用丙酮沖洗、烘干,重復(fù)上述步驟直至芯片完全暴露;去離子水超聲波振蕩清洗.最后甲醇超聲波振蕩清洗,直至表面十凈。手動開封的優(yōu)點是方便、便宜;缺點是小尺寸封裝、新型封裝類型開封效果不理想,對操作員的經(jīng)驗、技巧依賴性較高。
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式,岡此本節(jié)主要針對塑封器件的開封做簡單介紹。STV5348DT環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法,化學(xué)方法是最廣泛使用的方法,叉分手動開封和機(jī)械開封兩種。
手動開封:發(fā)煙硝酸或發(fā)煙硝酸和發(fā)煙硫酸的混酸。125~150℃烘焙約一小時,驅(qū)除水汽(建議);X射線透射技術(shù)確定芯片在器件中的位置和大小等離子刻蝕法(建議);用機(jī)械法磨去頂蓋一部分或在芯片上方開個圓孔,直到離芯片非常薄為止(建議)加熱發(fā)煙硝酸至60~70℃,用吸液管滴到黑膠表面.待反應(yīng)后用丙酮沖洗、烘干,重復(fù)上述步驟直至芯片完全暴露;去離子水超聲波振蕩清洗.最后甲醇超聲波振蕩清洗,直至表面十凈。手動開封的優(yōu)點是方便、便宜;缺點是小尺寸封裝、新型封裝類型開封效果不理想,對操作員的經(jīng)驗、技巧依賴性較高。
熱門點擊
- 正向偏壓和負(fù)向偏壓下的PN結(jié)二極管⒈V曲線
- 有限體積法(FVM)又稱為有限容積法、控制體
- 掩膜版制作介紹
- 掃描電子顯微鏡像襯度
- 氧化鈰研磨液的特點
- 橢圓偏光厚度測量
- CMP在高K金屬柵形成中的應(yīng)用
- 晶片表面顆粒去除方法
- NBTI機(jī)理
- 浸入式光刻是指在投影鏡頭與硅片之間用液體充滿
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢及市場應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究