X射線透視
發(fā)布時間:2017/11/13 20:56:14 訪問次數(shù):540
現(xiàn)在先進的掃描聲學(xué)顯微鏡(見圖11.D的頻率范圍為STM32F051C8T650OMHz),在空閘分辨率可達0,1um9掃描面積達到(0.25umJ~300n1m2),能完成超聲波傳輸時問測量(A掃描)、縱向接口成像(B掃描)、X/Y二維成像((l、D、G、X掃描)和二維掃描與成像。
X射線透視:X射線檢測是根據(jù)樣品不同部位對X射線吸收率和透射率的不同,利用X射線通過樣品各部位衰減后的強度檢測樣品內(nèi)部缺陷。X射線衰減的程度與樣品的材料種類.樣品刂的厚度和密度有關(guān)。透過材料的X射線強度隨材料的X射線吸收系數(shù)和厚度作指數(shù)衰減,材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷對應(yīng)于灰黑度不同的X射線影響圖。
X射線一般用于檢測封裝完成后芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、內(nèi)引線開路或者短路、焊點缺陷、封裝裂紋、空洞、橋接等缺陷.但其以低密度區(qū)為背景,觀察材料的高密度lx的密度異常點,對有機填充物空洞或倒置封裝器件分層的探測作用有限;封裝器件中空洞的襯度被引線框架遮蔽所減弱Ⅱ掩蓋。器件金屬散熱片會減弱相對低質(zhì)厚的芯片黏貼層的襯度。
現(xiàn)在先進的掃描聲學(xué)顯微鏡(見圖11.D的頻率范圍為STM32F051C8T650OMHz),在空閘分辨率可達0,1um9掃描面積達到(0.25umJ~300n1m2),能完成超聲波傳輸時問測量(A掃描)、縱向接口成像(B掃描)、X/Y二維成像((l、D、G、X掃描)和二維掃描與成像。
X射線透視:X射線檢測是根據(jù)樣品不同部位對X射線吸收率和透射率的不同,利用X射線通過樣品各部位衰減后的強度檢測樣品內(nèi)部缺陷。X射線衰減的程度與樣品的材料種類.樣品刂的厚度和密度有關(guān)。透過材料的X射線強度隨材料的X射線吸收系數(shù)和厚度作指數(shù)衰減,材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷對應(yīng)于灰黑度不同的X射線影響圖。
X射線一般用于檢測封裝完成后芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、內(nèi)引線開路或者短路、焊點缺陷、封裝裂紋、空洞、橋接等缺陷.但其以低密度區(qū)為背景,觀察材料的高密度lx的密度異常點,對有機填充物空洞或倒置封裝器件分層的探測作用有限;封裝器件中空洞的襯度被引線框架遮蔽所減弱Ⅱ掩蓋。器件金屬散熱片會減弱相對低質(zhì)厚的芯片黏貼層的襯度。
上一篇：開封技術(shù)
相關(guān)技術(shù)資料- 11-13X射線透視
熱門點擊
- 電烙鐵的功率與烙鐵頭溫度對應(yīng)關(guān)系
- 應(yīng)力遷移
- 電壓斜坡(V-ramp)和電流斜坡(J-ra
- 整流濾波后的電壓值還會受到電網(wǎng)電壓波動和負載
- oBIRCH/XIⅤA案例分析
- 金屬鈦濕法刻蝕
- 套刻精度一般由光刻機上移動平臺的步進
- 片濕法刻蝕過程原理
- 直拉法制各的單晶硅,稱為CZ硅
- OBIRCH雷射注入技術(shù)在90nm制程失效分
推薦技術(shù)資料
- 單片機版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
