yicld是一個(gè)直觀的工藝成熟度的表征指標(biāo).不過在半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中.很多時(shí)HIF3-2226SCA候直接用yield來評價(jià)工藝的好壞有很大的局限性如圖17,4所示,同樣的I藝缺陷,在不同的產(chǎn)品上可能引起不同的yield l°ss。面積大的產(chǎn)品,所受影響會(huì)較大,這樣,用yield來衡量不同產(chǎn)品的I藝成熟度就不夠客觀。為此,缺陷密度(defect density,D0)的概念被引人。每單位面積上的缺陷個(gè)數(shù),這就是D0的定義,它只和工藝相關(guān),與產(chǎn)品面積無關(guān)。注意,這里的缺陷,指的是反映在產(chǎn)品最終電性測試上的失效,并非特指△藝中的物理缺陷(掉落的微粒,wafcr表面的刮傷等)。

   D0可以用于不同產(chǎn)品,不同工藝甚至不同生產(chǎn)線之間的比較,一般單位是個(gè)/in2或者個(gè)/cm2。