有了D0,還必須能和產(chǎn)品的yield聯(lián)系起來(lái),這樣對(duì)于產(chǎn)品能作出合理的yield預(yù)測(cè),對(duì)丁藝改善進(jìn)行指導(dǎo)。 HVLED805TR

   一種應(yīng)用較為廣泛的yield model是bose einstein model

   這里A為產(chǎn)品的面積(chip area),單位是in2。1)0單位是個(gè)/cm2�！迨侵瞥虖�(fù)雜度的指標(biāo)c數(shù)值上等于各工藝層的復(fù)雜度的和(下面每層的取值,對(duì)應(yīng)不同的公司//li產(chǎn)線/T藝可能不同):

   (1)關(guān)鍵層,缺陷敏感度高.復(fù)雜度為1(AA,Poly,Contac1,Ml等)。

   (2)普通層,缺陷敏感度中.復(fù)雜度為0,5(后段I藝的Metal,Via層)。

   (3)非關(guān)鍵層,缺陷敏感度低,復(fù)雜度為0.25(離子注人層等)。

   (4)其他非關(guān)鍵層,缺陷敏感度極低,復(fù)雜度為0(鈍化層等)。