根據(jù)所形成電路層的不同,加工完成一層電路所采用的工序也有不同。以在硅A43L0616AV-7襯底上的指定區(qū)域內(nèi)形成P型⒏為例,其過程首先將硅片清洗干凈,在硅襯底上采用氧化工藝形成一層⒐o2薄膜,然后采用光刻工藝將所形成P型硅的區(qū)域(so2薄膜)暴露出來(lái);利用刻蝕工藝將暴露的S⒑2薄膜腐蝕掉,露出硅襯底,并將硅片清洗,去除硅片表面的雜質(zhì);接著采用注入工藝將三價(jià)元素硼注入暴露出的硅襯底中;最后采用擴(kuò)散工藝使注入的硼元素分布均勻,形成所需的P型硅區(qū)域。

   半導(dǎo)體制造業(yè)為了面對(duì)不斷降低成本和提高生產(chǎn)力的要求,一直在晶圓加工設(shè)備方面進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。大多數(shù)晶圓加工是化學(xué)過程,近⒛多年來(lái)晶圓的尺寸越來(lái)越大,電子線路更加密集,傳統(tǒng)的批量加工(如1批次有25片晶圓)設(shè)備很難在大面積的晶圓上控制氣體或化學(xué)擴(kuò)散的均勻一致,不能保證晶圓加工質(zhì)量。因此,半導(dǎo)體制造業(yè)廣泛采用單片晶圓加工技術(shù)。單片晶圓在加工模塊的加工腔中加工,加工完一片晶圓后再加工另外一片。由于工藝步驟很多,而且大尺寸晶圓質(zhì)量大,在加工模塊之間的搬運(yùn)任務(wù)量很大,人工運(yùn)作很困難,且效率低,所以要把幾個(gè)連續(xù)工藝步驟的加工模塊組合安置在距離很近的集成真空環(huán)境中,用機(jī)械手完成卸載、運(yùn)輸、裝載晶圓的搬運(yùn)作業(yè)。這個(gè)集成加工環(huán)境即集束型裝備。