離子植入(|on|mp|antation) AAT3110IJS-5.0-T1

   離子植入是將摻質(zhì)以離子形態(tài)植入半導(dǎo)體組件的特定區(qū)域上,以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠的能量與速度,以穿透(植入)薄膜,到達(dá)預(yù)定的植入深度。離子植入制程可對植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控制。該摻質(zhì)濃度(劑量)基本上是由離子束電流(離子束內(nèi)的總離子數(shù))與掃描率(晶圓通過離子束的次數(shù))來控制的,而離子植入的深度則由離子束能量的大小來決定。 ˉ

   電鍍 (Electro plating)

   芯片的功能是靠其間各元器件的連接而實現(xiàn)的。通過電鍍工藝,使得導(dǎo)電金屬(通常是鋁)淀積在晶圓表面,并且使用光刻和刻蝕制程去除沒有用的金屬,留下連接元器件間的電路金屬。現(xiàn)在復(fù)雜的晶片都需要很多層絕緣體。―個正常運作的晶片需要連接數(shù)以百

萬計的傳導(dǎo)線路,包括同一層上的水平連接和各層之間的垂直連接。