在晶圓加工過程中,為了保AAT3215IJS-2.9-T1證晶圓的質(zhì)量,晶圓在加工模塊中的停留時間必須限制在規(guī)定的時間范圍內(nèi),這一要求稱為晶圓加工的滯留時間約束(Rcsidency △meCollstraints)。例如,低壓化學淀積I藝要求在真空度025~⒛toⅡ和高溫550~800℃的條件下對加工腔內(nèi)的晶圓鍍膜,其鍍膜材料為氮、氧、硅外延和多晶硅。晶圓加工結束后,其在加工模塊內(nèi)的停留時間不能超過⒛s,否則,晶圓表面會被高溫破壞,甚至造成晶圓破損[10’11]。嚴格的滯留時問約束可能導致不存在可行調(diào)度,因此集束型裝備調(diào)度問題研究的一個方向是可調(diào)度性。