化學(xué)氣相淀積設(shè)備的仿真實(shí)驗(yàn)
發(fā)布時(shí)間:2017/12/5 21:18:08 訪問(wèn)次數(shù):637
化學(xué)氣相淀積是兩集束型裝備,兩集束型裝備是多集束型裝備的最簡(jiǎn)單形式,如圖5-13所示。LST策略也同樣適用于兩集束型裝備。 NE5532P
圖⒌13 化學(xué)氣相淀積設(shè)備示意圖
淀積是半導(dǎo)體制造過(guò)程中最常用的一種生成薄膜的加工工藝,生成的膜材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等。薄膜制備的常見(jiàn)設(shè)備有物理氣相淀積和化學(xué)氣相淀積設(shè)備,后者的使用在半導(dǎo)體制造過(guò)程中更為多見(jiàn)。化學(xué)氣相淀積是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在晶圓表面淀積一層固體薄膜的工藝。如圖5-13所示的化學(xué)氣相淀積設(shè)各是一個(gè)兩集束型裝.
化學(xué)氣相淀積是兩集束型裝備,兩集束型裝備是多集束型裝備的最簡(jiǎn)單形式,如圖5-13所示。LST策略也同樣適用于兩集束型裝備。 NE5532P
圖⒌13 化學(xué)氣相淀積設(shè)備示意圖
淀積是半導(dǎo)體制造過(guò)程中最常用的一種生成薄膜的加工工藝,生成的膜材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等。薄膜制備的常見(jiàn)設(shè)備有物理氣相淀積和化學(xué)氣相淀積設(shè)備,后者的使用在半導(dǎo)體制造過(guò)程中更為多見(jiàn)�；瘜W(xué)氣相淀積是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在晶圓表面淀積一層固體薄膜的工藝。如圖5-13所示的化學(xué)氣相淀積設(shè)各是一個(gè)兩集束型裝.
相關(guān)技術(shù)資料- 10-4稽查項(xiàng)目
- 9-18客戶身份證明材料
- 9-15營(yíng)銷(xiāo)事故差錯(cuò)調(diào)查處理
- 1-5IGBT與二極管構(gòu)成的逆導(dǎo)開(kāi)關(guān)
- 12-18方形焊盤(pán)
- 12-5化學(xué)氣相淀積設(shè)備的仿真實(shí)驗(yàn)
- 9-25電子管引腳
- 7-28開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的效率
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 粒子群算法流程圖
- 產(chǎn)能主要決定于晶圓的基本周期
- 目前通用的溫度場(chǎng)軟件模擬法主要有
- 良率學(xué)習(xí)(yield Iearning)速度
- FA的案例
- 非破壞性分析
- 把機(jī)器人制造單元分為以下三種類(lèi)型
- 集成電路的焊接
- 非零初始狀態(tài)和死鎖
- 橢偏儀
推薦技術(shù)資料
- DS2202型示波器試用
- 說(shuō)起數(shù)字示波器，普源算是國(guó)內(nèi)的老牌子了，F(xiàn)QP8N60... [詳細(xì)]
- Nuclei lntellig
- RISC-V子系統(tǒng)模式技術(shù)結(jié)構(gòu)
- 物理量子比特量子芯片Willo
- MPS電源管理一站式解決方案詳情
- 薄緩沖層AlGaN/GaN外延
- 2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
