變頻技術是建立在電力電子技術基礎之上的。在低壓交流電動機的傳動控制中,應用TB1100M最多的器件有GTo(門極可關斷晶閘管)、GTR、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及IPM(IntcIligcnt Powcr Modulc,智能功率模塊)。IGBT集GTR的低飽和電壓特性和MOsFE飛金屬氧化物半導體場效應晶體管)的高頻開關特性于一體。后兩種器件是目前通用變頻器中廣泛使用的主流功率器件。由于采用溝道型柵極技術、非穿通技術等方法,大幅度降低“集電極一發(fā)射極”之間飽和電壓產品的問世,使得變頻器的性能有了很大的提

高。⒛世紀⒛年代又出現了一種新型半導體開關器件――集成門極換流晶閘管(IntcgratedGatc Commu啞cd Thyristor,IGCTl,該器件是GTo和IGBT結合的產物。總之,電力電子器件正朝著發(fā)熱少、高載波控制、開關頻率高和驅動功率小的方向發(fā)展。

   IPM的投入應用大約比IGBT晚兩年,由于IPM包含了IGBT芯片及外圍驅動和保護電路,甚至還把光耦合器也集成于一體,因此是一種比較好用的集成型功率器件。