電力MOSFET的特性
發(fā)布時間:2018/1/2 21:06:34 訪問次數(shù):1688
1.轉(zhuǎn)移特性MIC2026-1BM
柵源電壓乙圮s與漏極電流fD之間的關(guān)系稱為轉(zhuǎn)移特性,如圖2.13所示,特性曲線的斜率dJD/d乙憶s表示電力場效應(yīng)管的放大能力,用跨導(dǎo)gin表示.
2.輸出特性
以“柵一源”電壓已詠為參變量,反映漏極電流JD與漏極電壓已鈦間關(guān)系的曲線簇,稱為電力MOsFET的輸出特性,如圖2.14所示。輸出特性可劃分為4個區(qū)域:非飽和區(qū)I、飽和區(qū)Ⅱ、截止區(qū)Ⅲ、雪崩區(qū)Ⅳ。在非飽和區(qū)I/Ds較小,當(dāng)I/Gs為常數(shù)時,fD與Lbs幾乎呈線性關(guān)系。在飽和區(qū),漏極電流幾乎不再隨漏源電壓變化。當(dāng)%s大于一定的電壓值后,漏極PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿,進入雪崩區(qū)Ⅳ,此時漏電流突然增大,直至器件損壞。
1.轉(zhuǎn)移特性MIC2026-1BM
柵源電壓乙圮s與漏極電流fD之間的關(guān)系稱為轉(zhuǎn)移特性,如圖2.13所示,特性曲線的斜率dJD/d乙憶s表示電力場效應(yīng)管的放大能力,用跨導(dǎo)gin表示.
2.輸出特性
以“柵一源”電壓已詠為參變量,反映漏極電流JD與漏極電壓已鈦間關(guān)系的曲線簇,稱為電力MOsFET的輸出特性,如圖2.14所示。輸出特性可劃分為4個區(qū)域:非飽和區(qū)I、飽和區(qū)Ⅱ、截止區(qū)Ⅲ、雪崩區(qū)Ⅳ。在非飽和區(qū)I/Ds較小,當(dāng)I/Gs為常數(shù)時,fD與Lbs幾乎呈線性關(guān)系。在飽和區(qū),漏極電流幾乎不再隨漏源電壓變化。當(dāng)%s大于一定的電壓值后,漏極PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿,進入雪崩區(qū)Ⅳ,此時漏電流突然增大,直至器件損壞。
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