圖2,15是電力MOsFET的開關(guān)特性的測試電路及其開關(guān)過程的波形。圖2.15中,%為矩形脈沖電壓信號源,Rs為信號源內(nèi)阻,RG為柵極電阻(≥RO,RL為漏極負(fù)載電阻,漏極電流可在凡兩端測得。

   圖2,15 電力M0SFET的開關(guān)特性MIC2026-2BM

   由于器件內(nèi)部存在輸入電容Gn,因而cJp的前沿到來時,Gn有充電過程,柵極電壓%s呈指數(shù)曲線上升。當(dāng)乙憶s上升到開啟電壓Ifr時,漏極電流。開始出現(xiàn)。從trp前沿到圮出現(xiàn)的這段時間定義為導(dǎo)通延遲時間兔。Θ。此后,圮隨乙鈦的上升而上升,%s從開啟電壓I/T逐漸上升到使電力場效應(yīng)管剛剛進(jìn)入非飽和區(qū)的柵極電壓%P,漏極電流。也達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,這一過程對應(yīng)的時間稱為上升時間卉。。穩(wěn)態(tài)值的大小由漏極電源電壓吮和漏極負(fù)載電阻RL決定,嘸sP的大小與。的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)。%s在JJp的作用下繼續(xù)上升,直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)。但此后。不再變化。電力MOSFET的導(dǎo)通時間氣n為導(dǎo)通延遲時間與上升時間之和。