從某種意義上講,目前htel公司所謂的量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管(QW FET)也是一種無結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 HZICMX4885I32X0G鑒于高遷移率CMOS技術(shù)的重大應(yīng)用前景,采用高遷移率Ⅱ⒈V族半導(dǎo)體材料替代應(yīng)變硅溝道實(shí)現(xiàn)高性能CMOS的研究已經(jīng)發(fā)展成為近期微電子領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。近年來,ITRS也將高遷移率∏IV族化合物材料列為新一代高性能CMC)S器件的溝道解決方案之一。據(jù)Intel公司的預(yù)計(jì)及某半導(dǎo)體分析師的推斷,htel公司有很大可能會(huì)在其10nm或7nm CMOS技術(shù)節(jié)點(diǎn)啟用量子阱晶體管結(jié)構(gòu),采用銦鎵砷(In。33GaO17As)作為N

型器件二維電子氣溝道材料,采用鍺作為二維空穴氣P型溝道材料。該公司已經(jīng)在硅晶圓襯底上制造出了一個(gè)原型器件,證明新技術(shù)可以與現(xiàn)有硅制造工藝相融合。給出Intel公司研究量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管的技術(shù)演進(jìn)圖。

   為進(jìn)一步提高量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能,加強(qiáng)器件柵控能力、增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流以及提高器件集成密度,我們提出了一種圓柱體全包圍柵量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其器件結(jié)構(gòu)Ⅰ。假設(shè)InGaAs半導(dǎo)體納米線的直徑為D,寬禁帶InP半導(dǎo)體控制層厚度為,可以通過電荷控制模型以及逐級(jí)溝道近似得到圓柱體全包圍柵量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管的⒈V關(guān)系。