如果想成功地完成化學(xué)機(jī)械拋光工藝就需要有成熟的系統(tǒng)設(shè)備。生產(chǎn)用的化學(xué)機(jī)械拋光小結(jié)化學(xué)機(jī)械拋光是一步關(guān)鍵的平坦化工藝，它需要平衡高度集成化和許多工藝參數(shù)。 PCA9534ARGVR主要參數(shù)是：研磨墊的構(gòu)成、研磨墊的壓力、研磨墊旋轉(zhuǎn)速度、機(jī)臺旋轉(zhuǎn)速度、磨料漿的流速、磨料漿的化學(xué)成分、磨料漿的材料選擇。加之對光刻工藝平整度的改善，化學(xué)機(jī)械拋光使雙大

馬十革圖形化和銅金屬化工藝得以實(shí)現(xiàn)。這一應(yīng)用將在第13章進(jìn)一步探討。

   一螳器件設(shè)計(jì)使用一層或多層硬平整化涂層。通常淀積具有4%~5%硼摻雜的二氧化硅，稱為硼硅玻璃( BSG)。由于硼的存在使二氧化硅在相對低的溫度（小于500℃）下液化流動，形成平坦的表面。

   另一種硬平坦化層為旋轉(zhuǎn)涂敷玻璃層( SOG)。玻璃層為二氧化硅和一種易揮發(fā)溶劑的混合體，旋轉(zhuǎn)涂敷在晶圓表面后，烘焙玻璃膜，留下平坦的二氧化硅膜。旋轉(zhuǎn)時玻璃是易碎的，有時在其中添加1%~10%的碳來增加抗裂性。

     圖形反轉(zhuǎn)

   在曝光小尺寸圖形時，我們傾向于使用正膠，這一點(diǎn)茌前面已經(jīng)討論過了。其中一個原因就是正膠適于使用暗場掩模版做孔洞。暗場掩模版大部分被鉻覆蓋，因?yàn)殂t不會像玻璃一樣易損，所以缺陷比較少。然而，一些掩模版用來曝光島區(qū)，而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區(qū)圖形。遺憾的是，用正膠做島區(qū)的光刻需要使用亮場掩模版，而它的玻璃容易損傷。