還有，PCA9504ADGG挑戰(zhàn)來自金屬的硬度（硬度不同，其拋光速率不同）和較軟聚合物材料的層間介質(zhì)( IDL)。盡管仍然存在各種挑戰(zhàn)，晶圓表面的平整度不得不控制在150 nm以下。

   1998年4月,So//d State Technology,Copyright 1998 bv PennWell Publishing Company)

    化學(xué)機(jī)械拋光后的清潔

   本書自始至終都在強(qiáng)調(diào)晶圓表面清潔的重要性�；瘜W(xué)機(jī)械拋光后的清潔恰恰體現(xiàn)丁這一重要性。清潔面臨一些特殊的挑戰(zhàn)。化學(xué)機(jī)械拋光是唯一有意在工藝過程中引人稱為磨粉的微粒。它們一般可以用機(jī)械刷拂去或用高壓水注沖去�；瘜W(xué)清潔一般采用與其他FEOL清洗相同的技術(shù)。

   精心挑選磨料漿的表面活性劑，調(diào)節(jié)pH值可以在磨料漿微粒和晶圓表面之間產(chǎn)生電的排斥作用。這一技術(shù)可以降低污染，特別是靜電吸附晶圓表面的污染物。

   銅污染要特別留意，因?yàn)橐坏┿~進(jìn)入硅中，會(huì)改變或降低電路元件的電性能。銅殘留應(yīng)減少到4×l013原子／C ffl2范圍i32]。