擴(kuò)散工藝（熱擴(kuò)散或離子注入）的目的有如下3個(gè)：

   1．在晶圓表面產(chǎn)生具體摻雜原子的數(shù)量（濃度）。PCA9538PWG4

   2．在晶圓表面下的持定位置處形成NP結(jié)或PN結(jié)。

   3．在晶圓表面層形成特定的摻雜原子濃度和分布。

    結(jié)的圖形表示

   在半導(dǎo)體器件的截面圖中，NP結(jié)被簡(jiǎn)單地表示為器件內(nèi)部的區(qū)域，沒(méi)有圖形代表N型或P型區(qū)域。截面圖僅僅顯示摻雜區(qū)域和結(jié)的相對(duì)位置。這種類型的圖基本不提供雜質(zhì)原子濃度的信息而僅僅估計(jì)區(qū)域的實(shí)際尺寸。在圖中，20 mm厚的晶圓上只有2ht,m r深的結(jié)，當(dāng)晶圓厚度按比例變?yōu)?英尺時(shí)，結(jié)深僅僅變?yōu)?.4英寸。

   濃度隨深度變化的曲線

   另一種顯示摻雜區(qū)域的二維圖形是濃度隨深度變化的曲線。這種圖形的縱坐標(biāo)為雜質(zhì)的濃度，橫坐標(biāo)為距晶圓表面的深度。給出了這種圖形的一個(gè)例子。這個(gè)圖例中所用的數(shù)據(jù)來(lái)自的摻雜示例。首先，畫(huà)出了P型摻雜的濃度。示例中，縱深方向的5個(gè)層中剛好有5個(gè)P型雜質(zhì)原子。其次，N型雜質(zhì)的原子數(shù)也被標(biāo)示出了。由于原子數(shù)隨著深度的增加而減少，所畫(huà)線段向右下方傾斜。在第4層，N型與P型雜質(zhì)數(shù)量相當(dāng)，兩線交合。這是圖形方式顯示結(jié)的位置。