在爐管中，雜質(zhì)原子擴散到裸露的晶圓中。在晶圓內(nèi)部，摻雜原子以兩種不同的機制運動：PCA9539PWR空位模式和間隙模式。在空位模式中，摻雜原子通過占據(jù)晶格空位來運動，稱為填空雜質(zhì)( vacancy)。第二種模式依賴于雜質(zhì)的間隙運動。在這種模式中，摻雜原子在晶格間（即間隙位置）運動。

   淀積工藝受幾個因素控制或約束。一個因素是特定雜質(zhì)的擴散率( diffusivity)。擴散率計量的是雜質(zhì)在特定晶圓材料中的運動速率。擴散率越高，雜質(zhì)在晶圓中的穿越越快。擴散率隨溫度的上升而變大。

   另外一個因素是雜質(zhì)在晶圓材料中的最大固溶度( maximum solid solubility)。最大固溶度是特定雜質(zhì)在晶圓中所能達到的最高濃度。相似的例子是咖啡中糖的最大溶解度�？Х戎荒�溶解一定量的糖，而后便會在杯底凝結(jié)為固態(tài)糖。最大固溶度隨溫度的升高而升高。

   在半導(dǎo)體淀積步驟中，將雜質(zhì)濃度故意設(shè)置得比晶圓材料中的最大固溶度更高。這種情形下，確保晶圓可接受最大摻雜量。

   進入晶圓表面的雜質(zhì)數(shù)量僅僅與溫度有關(guān)，淀積在所謂的同溶度允許條件下進行。硅中不同雜質(zhì)的固溶度。