從表⒋11可知,隨著并聯(lián)電容值的降低,保護(hù)器件能夠耐受的浪涌等級(jí)升高。當(dāng)并聯(lián)GC21440AD的電容值不大于5nF時(shí),保護(hù)器件可以通過(guò)最大浪涌測(cè)試等級(jí)的測(cè)試,即6kⅤ/150A浪涌試。

   實(shí)驗(yàn)二:增加限流器件,如PTC、電阻、導(dǎo)線,限制電容放電電流大小。測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表4-12。

   圖4.123為在保護(hù)器件(TSS)并聯(lián)電容值為們llF的條件下,浪涌測(cè)試電壓為1kⅤ時(shí),測(cè)得電流峰值為⒛7A。串聯(lián)PTC后同一個(gè)位置測(cè)得的電流峰值為70A,如圖4.124所示。從兩張波形圖可以看出,峰值電壓基本相同(相差4Ⅴ,對(duì)于電路來(lái)說(shuō),基本沒(méi)變化)。

   由此可見(jiàn),增加限流器件后能有效解決本案例所述的問(wèn)題c

   圖4.123 TSs并聯(lián)0O nF電容殘壓及電流

   【總結(jié)與啟示】

   浪涌測(cè)試時(shí),并聯(lián)的電容會(huì)在保護(hù)器件

   圖4124 tss支路增加PTC殘壓及電流

   (TSS)擊穿導(dǎo)通前先充電儲(chǔ)能,在保護(hù)器件

   表⒋12 增加不同限流器件的測(cè)試結(jié)果