接口芯片更換DS21554后進行EFVB測試
發(fā)布時間:2019/1/16 19:59:44 訪問次數(shù):813
查看El接口芯片的技術(shù)資料,接口芯片Dm154抗靜電能力為±1kⅤ,而Dm1554抗靜電能力為±2kⅤ⊙將產(chǎn)品接口芯片Dm154更換成Dm15~szI,再進行±6kⅤ ESD測試,不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機現(xiàn)象。 HCF40106M013TR
接口芯片更換DS21554后進行EFVB測試,測試電壓為+1kⅤ時,也不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機現(xiàn)象、但在-lk、時仍會斷鏈。對E1通信接口板的CPU軟件進行吏改,增加El口的容鋯能力,即將El信號誤碼率閾值加大1佶,軟件更改聽進行電壓為±1.5k、ˉ的E冂/B測試,此時E信號不會出現(xiàn)斷鏈現(xiàn)象:
【思考與啟示】
(1)器件本身的EMC性能對系統(tǒng)的EMC性能有很大影響,進行前期EMC設(shè)計時要注意選擇抗干擾能力強的器件;器件選擇時一定要考慮器件本身的EMC特性,特別是抗ESD性能(ESD性能在器件手冊中也較容易查到)。
(2)軟件與產(chǎn)品的EMC性能也有密切關(guān)系,產(chǎn)品軟件要設(shè)置一定的容錯能力。
查看El接口芯片的技術(shù)資料,接口芯片Dm154抗靜電能力為±1kⅤ,而Dm1554抗靜電能力為±2kⅤ⊙將產(chǎn)品接口芯片Dm154更換成Dm15~szI,再進行±6kⅤ ESD測試,不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機現(xiàn)象。 HCF40106M013TR
接口芯片更換DS21554后進行EFVB測試,測試電壓為+1kⅤ時,也不再出現(xiàn)通信斷鏈和死機現(xiàn)象、但在-lk、時仍會斷鏈。對E1通信接口板的CPU軟件進行吏改,增加El口的容鋯能力,即將El信號誤碼率閾值加大1佶,軟件更改聽進行電壓為±1.5k、ˉ的E冂/B測試,此時E信號不會出現(xiàn)斷鏈現(xiàn)象:
【思考與啟示】
(1)器件本身的EMC性能對系統(tǒng)的EMC性能有很大影響,進行前期EMC設(shè)計時要注意選擇抗干擾能力強的器件;器件選擇時一定要考慮器件本身的EMC特性,特別是抗ESD性能(ESD性能在器件手冊中也較容易查到)。
(2)軟件與產(chǎn)品的EMC性能也有密切關(guān)系,產(chǎn)品軟件要設(shè)置一定的容錯能力。
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