靜電放電測試目的
發(fā)布時(shí)間:2019/1/16 20:34:16 訪問次數(shù):2977
靜電放電測試目的
測試單個(gè)設(shè)備或系統(tǒng)的抗靜電干擾能力。它模擬:操作人員或物體在接觸設(shè)各時(shí)的放電;人或物體對鄰近物體的放電。靜電放電可能產(chǎn)生如下后果。HCF4049UM013TR
(1)直接通過能量交換引起半導(dǎo)體器件的損壞;
(2)放電所引起的電場與磁場變化,造成設(shè)備的誤動作;
(3)放電的噪聲電流導(dǎo)致器件誤動作。
靜電放電的設(shè)各
圖B7和圖B8分別給出了靜電放電發(fā)生器的基本線路和放電電流的波形。
圖B7 靜電放電發(fā)生器
圖B.8 靜電放電的電流波形
圖B.8中爍表示電流峰值,上升時(shí)間扌r=(0.7~1)“。放電線路中的儲能電容Cs代表人體電容,現(xiàn)公認(rèn)I50pF比較合適。放電電阻Rd為~s30Ω,用以代表手握鑰匙或其他金屬工具的人體電阻。現(xiàn)已證明,用這種放電狀態(tài)來體現(xiàn)人體放電的模型是足夠嚴(yán)酷的。測試電壓要由低到高逐漸增加到規(guī)定值。
靜電放電測試目的
測試單個(gè)設(shè)備或系統(tǒng)的抗靜電干擾能力。它模擬:操作人員或物體在接觸設(shè)各時(shí)的放電;人或物體對鄰近物體的放電。靜電放電可能產(chǎn)生如下后果。HCF4049UM013TR
(1)直接通過能量交換引起半導(dǎo)體器件的損壞;
(2)放電所引起的電場與磁場變化,造成設(shè)備的誤動作;
(3)放電的噪聲電流導(dǎo)致器件誤動作。
靜電放電的設(shè)各
圖B7和圖B8分別給出了靜電放電發(fā)生器的基本線路和放電電流的波形。
圖B7 靜電放電發(fā)生器
圖B.8 靜電放電的電流波形
圖B.8中爍表示電流峰值,上升時(shí)間扌r=(0.7~1)“。放電線路中的儲能電容Cs代表人體電容,現(xiàn)公認(rèn)I50pF比較合適。放電電阻Rd為~s30Ω,用以代表手握鑰匙或其他金屬工具的人體電阻,F(xiàn)已證明,用這種放電狀態(tài)來體現(xiàn)人體放電的模型是足夠嚴(yán)酷的。測試電壓要由低到高逐漸增加到規(guī)定值。
上一篇:傳導(dǎo)騷擾測試方法
熱門點(diǎn)擊
- CS106(電源線尖峰信號傳導(dǎo)敏感度)測試
- 磁珠和電容的正確位置和連接關(guān)系
- CE102(10kHz~10MHz電源線傳導(dǎo)
- 共模電感的原理圖及磁場分布
- 浪涌測試方法
- 靜電放電測試目的
- 傳導(dǎo)騷擾測試目的
- 在模擬電流地與數(shù)字地之間接旁路電容
- 電力電容器的保護(hù)方式有哪些?
- 幅度較低的那條頻譜曲線是背景噪聲
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個(gè)目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究