其中9R為顯影速率,ε為曝光能量。其中完全顯影對(duì)應(yīng)的能量(dose to ),也就是把一定厚度的光刻膠.對(duì)一個(gè)給定的烘焙和顯影程序完全溶解和清洗干凈所需要的曝光能量。通常這個(gè)能量比曝光能量要低一些。 JA3214-OS-A04在光刻T藝仿真上,由于當(dāng)今的深紫外化學(xué)增幅的光刻膠的對(duì)比度都很高,我們可以近似將中的曲線近似為階躍函數(shù),也就是光刻仿真中的閾值模型(threshold modcl)的由來(lái),當(dāng)然,我們還需要對(duì)空間像做一階高斯擴(kuò)散,或者卷積,如式(748)、式(758)、式(770),然后再取閾值,有關(guān)如何將光刻膠的顯影過(guò)程融人光刻工藝仿真和光刻膠顯影過(guò)程的進(jìn)一步描述,請(qǐng)參考文獻(xiàn)。

   掩膜版的制作使用電子束和激光曝光的方式。由于現(xiàn)代光刻機(jī)一般使用4:l的縮小倍率,掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工藝的掩膜版誤差囚子以及對(duì)亞衍射散射條(Sut,Resolution Assist Feature,SRAF)的需求,掩膜版的制造也愈發(fā)具有挑戰(zhàn)性。比如,對(duì)于32nm△藝,對(duì)掩膜版線寬的要求已經(jīng)達(dá)到了2nm(3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差)以?xún)?nèi)。對(duì)于線寬,由于使用了亞衍射散射條,其最小線寬已經(jīng)達(dá)到了70~80nm。無(wú)論是電子束曝光也好,激光曝光也好,由于曝光方式是掃描式的,無(wú)論掩膜版上的圖形如何復(fù)雜,或者線寬如何多佯化,電子束、激光束走的路徑和歷經(jīng)的格點(diǎn)(grid point)都是一樣的。只是在不同的格點(diǎn)處使用的掃描曝光次數(shù)不一樣。而且,為了提高掃描式曝光方法的速度,通過(guò)使用較大光斑的電子束加不同的曝光次數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)空間像邊緣位置的移動(dòng)。比如,光斑的直徑是實(shí)際掩膜版格點(diǎn)的4倍(一次掃描可以提高16倍速度),為了表達(dá)在實(shí)際格點(diǎn)處的邊緣,只要將邊緣的光斑位置逐次減少曝光次數(shù),以起到匹配邊緣的目的。