芯片依工藝要求,需有一定之厚度。應(yīng)用研磨的方法,達(dá)到減薄的目標(biāo)。研磨的第一步KA348為粗磨,目的為減薄芯片厚度到目標(biāo)值(一般研磨后的厚度為250~300um,隨著芯片應(yīng)用及封裝方式的不同會(huì)不一樣)。第二步為細(xì)磨,目的為消減芯片粗磨中生成的應(yīng)力破壞層(一般厚度為l~2um左右)。研磨時(shí)需有潔凈水(純水)沖洗,以便帶走研磨時(shí)產(chǎn)生的硅粉。若有硅粉殘留,容易造成芯片研磨時(shí)的破片或產(chǎn)生微裂紋,在后序的I藝中造成芯片破碎的良品率問題及質(zhì)量問題。同時(shí)需要注意研磨輪及研磨平臺(tái)的平整度,可能會(huì)增加芯片破片的機(jī)率(因?yàn)槠秸炔缓脮?huì)造成芯片破片)。研磨機(jī)內(nèi)部示意圖。

    減薄之后.要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍(lán)膜.才可開始劃片:藍(lán)膜需要裝在固定的金屬框架上為了增強(qiáng)膜對(duì)芯片的黏度.有時(shí)貼膜后須要加熱烘焙。

   芯片依照單顆大小、需要種類等,要在藍(lán)膜上切割成顆粒狀,以便于單個(gè)取出分開。劃片時(shí)需控制移動(dòng)劃片刀的速度及劃片刀的轉(zhuǎn)速。不同芯片的厚度及藍(lán)膜的黏性都需要有不同的配合的劃片參數(shù),以減少劃片時(shí)在芯片上產(chǎn)牛的崩碎現(xiàn)象。劃片時(shí)需要用潔凈水沖洗,以便移除硅渣。切割中殘留的硅渣會(huì)破壞劃片刀具及芯片,造成良品率損失。噴水的角度及水量,都需要控制。

    一般切割刀片可以達(dá)到最小的切割寬度為40um左右。若用雷射光取代切割刀片可將切割寬度減小到20um。所以使用窄小的切割道的特殊芯片必須用雷射光切割。對(duì)于厚芯片或堆疊多層芯片的切割方式,也建議使用雷射光切割。因?yàn)橛靡话闱懈畹镀懈?在使用特別的刀片下,勉強(qiáng)可以切割∷層堆疊的芯片:昕以雷射光切割比較好c刀片劃片丁作時(shí)的照片。