高頻電磁場屏蔽原理
發(fā)布時間:2019/2/6 20:18:05 訪問次數(shù):3837
高頻電磁場屏蔽原理,在高頻 L4931ABD15-TR條件下,電磁場滿足遠場條件,此時可采用普通的金屬材料作為外殼屏蔽材料,只要金屬外殼良好接地,就能取到較好的屏蔽作用。外殼為非金屬箱情形,外界的電磁波直接進人機箱內(nèi)部,對EUT進行干擾;對應外殼為接地的金屬機箱情形,外界的電磁波在人射金屬表面時,會有一部分反射回外界,一部分進入外殼金屬內(nèi)部,在金屬內(nèi)部衰減后,再通過內(nèi)部金屬的另一表面透射,進入機箱內(nèi)部,形成透射波,電磁波在機箱金屬內(nèi)部兩壁之間會一邊衰減一邊反射,形成對金屬機箱內(nèi)部的多次透射波和對金屬機箱外部的多次反透射波。通過金屬外殼的反射及內(nèi)高頻電磁場屏蔽原理,在高頻條件下,電磁場滿足遠場條件,此時可采用普通的金屬材料作為外殼屏蔽材料,只要金屬外殼良好接地,就能取到好的屏蔽作用。外殼為非金屬機箱情形,外界的電磁波直接進人機箱內(nèi)部,對EUT進行干擾;情形,外界的電磁波在人射金屬表面時,會有一部分反射回外界,一部分進入外殼金屬內(nèi)部,在金屬內(nèi)部衰減后,再通過內(nèi)部金屬的另一表面透射,進入機箱內(nèi)部,形成透射波,電磁波在機箱金屬內(nèi)部兩壁之間會一邊衰減一邊反射,形成對金屬機箱內(nèi)部的多次透射波和對金屬機箱外部的多次反透射波。通過金屬殼的反射及內(nèi)時,做到這點不容易,難免會在個別頻點發(fā)生夾層內(nèi)的諧振,從而可能達不到預期的屏蔽效能。
在頻率很高的情況下,實心屏蔽體的屏效足以達到預期要求。但是,實際的屏蔽體由于制造、裝配、維修、散熱等原因,必須開有孔縫。而實際上,孔縫泄漏是影響屏蔽體屏效的最重要因素。
所以有以下結(jié)論:在頻率較高時σ)10MHz),屏蔽體屏效主要取決于孔縫泄漏,而對屏蔽材料的厚度及材料種類的選擇(只要是導的),除了滿足必要的剛度、強度外,無須給予過多的考慮。
高頻電磁場屏蔽原理,在高頻 L4931ABD15-TR條件下,電磁場滿足遠場條件,此時可采用普通的金屬材料作為外殼屏蔽材料,只要金屬外殼良好接地,就能取到較好的屏蔽作用。外殼為非金屬箱情形,外界的電磁波直接進人機箱內(nèi)部,對EUT進行干擾;對應外殼為接地的金屬機箱情形,外界的電磁波在人射金屬表面時,會有一部分反射回外界,一部分進入外殼金屬內(nèi)部,在金屬內(nèi)部衰減后,再通過內(nèi)部金屬的另一表面透射,進入機箱內(nèi)部,形成透射波,電磁波在機箱金屬內(nèi)部兩壁之間會一邊衰減一邊反射,形成對金屬機箱內(nèi)部的多次透射波和對金屬機箱外部的多次反透射波。通過金屬外殼的反射及內(nèi)高頻電磁場屏蔽原理,在高頻條件下,電磁場滿足遠場條件,此時可采用普通的金屬材料作為外殼屏蔽材料,只要金屬外殼良好接地,就能取到好的屏蔽作用。外殼為非金屬機箱情形,外界的電磁波直接進人機箱內(nèi)部,對EUT進行干擾;情形,外界的電磁波在人射金屬表面時,會有一部分反射回外界,一部分進入外殼金屬內(nèi)部,在金屬內(nèi)部衰減后,再通過內(nèi)部金屬的另一表面透射,進入機箱內(nèi)部,形成透射波,電磁波在機箱金屬內(nèi)部兩壁之間會一邊衰減一邊反射,形成對金屬機箱內(nèi)部的多次透射波和對金屬機箱外部的多次反透射波。通過金屬殼的反射及內(nèi)時,做到這點不容易,難免會在個別頻點發(fā)生夾層內(nèi)的諧振,從而可能達不到預期的屏蔽效能。
在頻率很高的情況下,實心屏蔽體的屏效足以達到預期要求。但是,實際的屏蔽體由于制造、裝配、維修、散熱等原因,必須開有孔縫。而實際上,孔縫泄漏是影響屏蔽體屏效的最重要因素。
所以有以下結(jié)論:在頻率較高時σ)10MHz),屏蔽體屏效主要取決于孔縫泄漏,而對屏蔽材料的厚度及材料種類的選擇(只要是導的),除了滿足必要的剛度、強度外,無須給予過多的考慮。
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