IGBT是由PNP型二極管和N溝道N-IGBT
發(fā)布時(shí)間:2019/2/16 20:32:34 訪問(wèn)次數(shù):3637
圖1197中的IGBT是由PNP型二極管和N溝道N-IGBT,用圖11砭6(d)符號(hào)表示,相應(yīng)的還有P溝道IGBT,稱作P-IGBT,將圖11砭6(d)符號(hào)中的箭頭改MOs管組合而成,這種IGBT稱作
為由E極指向G極即為RIGBT的電路符號(hào)。P4500TA由于電力電子設(shè)備中主要采用N-IGBT,下面以圖1⒈27所示電路來(lái)說(shuō)明N-IGBT工作原理。電源E2通過(guò)開(kāi)關(guān)s為IGBT提供UGE電壓,電源El經(jīng)R1為IGBT提供%E電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)s閉合時(shí),IGBT S的G、E極之間獲得電壓嘸D只要L/GE電壓大于開(kāi)啟 E2電壓(2~6V),IGBT內(nèi)部的NMOS管就有導(dǎo)電溝道形成,MOS管D、s極之間導(dǎo)通,為三極管幾電流提供通路,二極管導(dǎo)通,有電流fc從IGBT的C極流入,經(jīng)三極管發(fā)射極后分成rl和幾兩路電流,
r1電流流經(jīng)MOs管的D、s極,幾電流從三極管的集電極流出,JI、幾電流匯合成JE電流從IGBT的E極流出,即IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)開(kāi)關(guān)s斷開(kāi)后,%E電壓為0,MOs管導(dǎo)電溝道夾斷(消失),馬、乃都為0,rc、fE電流也為0,即IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)。
調(diào)節(jié)電源E2可以改變I/GF電壓的大小,IGBT內(nèi)部的MOs管的導(dǎo)電溝道寬度會(huì)隨之變化,而電流大小會(huì)發(fā)生變化,由于而電流實(shí)際上是二極管的幾電流,馬細(xì)小的變化會(huì)引起乃電流(幾為二極管的幾電流)的急劇變化。例如當(dāng)吮E增大時(shí),MOs管的導(dǎo)通溝道變寬,馬電流增大,幾電流也增大,即IGBT的C極流入、E極流出的電流增大。
圖1197中的IGBT是由PNP型二極管和N溝道N-IGBT,用圖11砭6(d)符號(hào)表示,相應(yīng)的還有P溝道IGBT,稱作P-IGBT,將圖11砭6(d)符號(hào)中的箭頭改MOs管組合而成,這種IGBT稱作
為由E極指向G極即為RIGBT的電路符號(hào)。P4500TA由于電力電子設(shè)備中主要采用N-IGBT,下面以圖1⒈27所示電路來(lái)說(shuō)明N-IGBT工作原理。電源E2通過(guò)開(kāi)關(guān)s為IGBT提供UGE電壓,電源El經(jīng)R1為IGBT提供%E電壓。當(dāng)開(kāi)關(guān)s閉合時(shí),IGBT S的G、E極之間獲得電壓嘸D只要L/GE電壓大于開(kāi)啟 E2電壓(2~6V),IGBT內(nèi)部的NMOS管就有導(dǎo)電溝道形成,MOS管D、s極之間導(dǎo)通,為三極管幾電流提供通路,二極管導(dǎo)通,有電流fc從IGBT的C極流入,經(jīng)三極管發(fā)射極后分成rl和幾兩路電流,
r1電流流經(jīng)MOs管的D、s極,幾電流從三極管的集電極流出,JI、幾電流匯合成JE電流從IGBT的E極流出,即IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)開(kāi)關(guān)s斷開(kāi)后,%E電壓為0,MOs管導(dǎo)電溝道夾斷(消失),馬、乃都為0,rc、fE電流也為0,即IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)。
調(diào)節(jié)電源E2可以改變I/GF電壓的大小,IGBT內(nèi)部的MOs管的導(dǎo)電溝道寬度會(huì)隨之變化,而電流大小會(huì)發(fā)生變化,由于而電流實(shí)際上是二極管的幾電流,馬細(xì)小的變化會(huì)引起乃電流(幾為二極管的幾電流)的急劇變化。例如當(dāng)吮E增大時(shí),MOs管的導(dǎo)通溝道變寬,馬電流增大,幾電流也增大,即IGBT的C極流入、E極流出的電流增大。
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